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本人从事多年机电自动化、电子自动化和电器保护工作,通过生活实践和学习对“BHE-904分布式站所终端”对电器设备的保护作用有部分......
The detection of protein/small molecule interactions plays important roles in drug discovery and protein/metabolite inte......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护......
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信息泄露日益严重如今，政府及企事业单位80％以上的数据都是以电子格式存放在计算机中的，信息泄露的风险因此与日俱增。所谓信息泄露，是......
接地、屏蔽、搭接(亦称均压)和终端保护是通信设备电气防护的4大要素,其中接地是核心.介绍了通信工程中的接地问题,包括:交换设备......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率......
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本刊讯4月20日，PC生命周期管理、终端保护和IT服务管理解决方案供应商LANDesk软件公司宣布，其三款产品LANDesk资产生命周期管理器4．0......
高空核爆炸电磁脉冲上升时间快，峰值场强可达50kV/m，电磁脉冲能量进入电子，电气设备后，造成工作失灵，甚至使电子 元器件永久性失效，本文......
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚......
设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终......
依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(......
设计了一种击穿电压大于1700V的SiCMOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进......
