MgZnO相关论文
随着光谱应用范围的拓展和光电探测技术的迅猛发展,紫外探测技术已经广泛应用在各国军事领域、人类医疗健康以及全球环境监测等方......
ZnO基半导体作为当今光电子材料领域最为热门的材料之一,其高质量晶体生长与掺杂仍然是当今研究的热点问题,通过Mg原子的掺入可以......
针对氧化锌紫外光电传感器对深紫外光探测能力弱的问题,通过镁掺杂氧化锌纳米线的方法调整氧化锌能带,从而提高氧化锌紫外光电传感......
Post-annealing oxygen partial pressure effect on the structure and optical properties of MgZnO films
Undoped MgZnO films were grown on c-plane sapphire substrates by V80H molecular-beam epitaxy (MBE).After growing,the sam......
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.目前的器件大多外延在Al2O3或Si等异质衬底上.Al......
实现ZnO带隙的自由调控是实现其在光电器件领域应用的前提条件之一，因此ZnO的能带工程近年来成为宽禁带半导体领域的研究热点。......
近年来,宽禁带半导体材料由于具有电子速度高、抗辐射性能强以及导热性能好等特点,在高速的光电技术发展中得到了越来越多的关注。......
利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm~2时对薄膜结晶性能的影......
使用准分子脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)基片上制备了高度c轴取向的MgZnO薄膜。分别使用SEM、XRD、XPS、PL谱和吸收谱表征了薄......
以介孔碳为硬模板经过二次填充制备了介孔镁锌氧复合物.采用X射线衍射(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM),N2吸附脱附等手段对材料......
目前对MgZnO/ZnO和AlGaN/GaN异质结的研究较多,本文通过理论计算,对比了MgZnO/C-aN、MgznO/ZnO和AlGaN/CraN异质结界面的2DEG浓度,......
Effects of Al Impurities on the Structural, Morphological, and Optical Properties of High Mg Content
本文通过对荣华二采区10...
,High response Schottky ultraviolet photodetector formed by PEDOT:PSS transparent electrode contacts
In this paper, we report a Schottky ultraviolet photodetector based on poly(3,4-ethylenedioxy-thiophene)poly(styrenesulf......
ZnO具有许多优异的特性，已作为一种压电、压敏和气敏材料较早便得以研究，并被广泛应用于变阻器、转换器、透明导电电极、传感器和催......
宽禁带半导体ZnO是发展短波长发光和激光器件的理想材料,其室温下直接带隙为3.37eV,激子束缚能高达60 meV,有利于实现低阈值的......
MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻......
会议
近几年商业上对研制高效的蓝光LED和短波长激光二极管的强烈需求,使人们掀起了对可产生短波长的宽禁带半导体材料的研究热潮.作为......
利用脉冲激光沉积技术,选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材,在非晶石英衬底上研究氧气流量对MgxZn1-xO合金薄膜生长取向的影响.结果表......
Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体氧化锌(ZnO)的禁带宽度为3.37 eV,室温下激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),是制造高......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大......
通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了MgZnO薄膜,结合光刻和聚苯乙烯(PS)小球模板技术,制备了基于Ag微......
通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了MgZnO薄膜,结合光刻和聚苯乙烯(PS)小球模板技术,制备了基于Ag微......
用水溶液的化学方法生成MgZnO和CdZnO舍金纳米棒并研究其相关发光性能．用水溶液的化学方法合成Mg0．06Zn0．94O合金结构的纳米棒，纳米棒......
用水溶液的化学方法生成MgZnO和CdZnO舍金纳米棒并研究其相关发光性能．用水溶液的化学方法合成Mg0．06Zn0．94O合金结构的纳米棒，纳米棒......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增......
利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构MgZnO薄膜,并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况。当生长......
利用脉冲激光沉积技术在非晶石英衬底上制备立方结构MgZnO薄膜,并研究MgZnO薄膜结晶特性、光学带隙随生长温度的变化情况。当生长......
在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石......
在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石......
高迁移率的二维电子气在纤锌矿结构Zn1-xMgxO/Zn O异质结构中被发现,二维电子气的产生很可能是由于这两种材料界面上存在不连续性......
全固态日盲型紫外探测器具有体积小、功耗小和虚警率低等优点，在机载导弹预警方面具有广阔的应用前景。宽禁带半导体是这类探测器的......
ZnO由于具有3．4eV的宽直接禁带和60meV的高激子束缚能，近年来引起了研究者的广泛兴趣，被认为是制备室温或高温蓝光或紫外光发光二极管......
在纤锌矿结构Zn（1-x）MgxO/ZnO异质结构中发现了高迁移率的二维电子气（2DEG）,2DEG的产生很可能是由于界面上存在不连续极化,而且2DEG通......
紫外探测虚警率低,不受热噪声影响,可以与红外探测及雷达探测相结合,在火力探测及预警领域有广阔的应用前景。该文采用分子束外延......
紫外探测虚警率低,不受热噪声影响,可以与红外探测及雷达探测相结合,在火力探测及预警领域有广阔的应用前景。该文采用分子束外延......
Effects of Al Impurities on the Structural, Morphological, and Optical Properties of High Mg Content
Al impurities modulated hexagonal wurtzite MgZnO nanocrystalline(AlMgZnO) film with a band gap of 4.3 e V was deposited ......
