【摘 要】
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基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片.该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂
【机 构】
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全球能源互联网研究院有限公司,北京,102211;先进输电技术国家重点实验室,北京,102211
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基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片.该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高器件的安全工作区.经流片测试结果显示饱和电压2.6 V,芯片在125℃温度下可实现5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在30 μs内安全关断,具有宽安全工作区水平,实现饱和电压、关断损耗和安全工作区的折衷.
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