【摘 要】
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介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数薄膜具有引导电通量的作用,可优化器件漂移区
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
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介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数薄膜具有引导电通量的作用,可优化器件漂移区的表面电场分布,在器件耐压等级不变的情况下,节约芯片面积,提高导电能力.另一方面,采用高介电常数薄膜有利于减少漂移区中存储的非平衡载流子,可缩短器件的关断时间,降低器件的关断损耗.仿真结果表明,相比于传统500 V等级的SOI-LIGBT,利用高介电常数薄膜改进的新器件可使器件长度缩短15％,导通压降降低10％,关断时间缩短42％,关断损耗减小61％.
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