【摘 要】
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为了优化功率开关器件导通压降与关断损耗的折衷关系,提出了一种低损耗JFET控制槽栅IGBT,即J-TIGBT.器件正向工作在闩锁状态,增强了阴极侧的电导调制效应,能有效减小器件导通
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
为了优化功率开关器件导通压降与关断损耗的折衷关系,提出了一种低损耗JFET控制槽栅IGBT,即J-TIGBT.器件正向工作在闩锁状态,增强了阴极侧的电导调制效应,能有效减小器件导通电阻.随着阳极电压的增大,内部寄生的JFET将起到调节电流的作用,能够减小器件的饱和电流.而阴极侧存储的少子在关断过程中能够被电场快速抽取,从而减小关断损耗.同传统槽栅IGBT相比,J-TIGBT的导通压降降低了1.05V,饱和电流降低了33.8％,关断损耗减小了45.9％,关断时间降低了66％.
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