绝缘栅双极晶体管相关论文
本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展，阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等......
功率半导体器件自面世以来迅速成为人们生活中不可或缺的一部分,其中全控器件绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor......
绝缘栅双极晶体管（insulated-gate bipolar transistor,IGBT）是一种功率半导体开关器件,以其优秀的性能,现已被广泛运用于家用电器、......
阐述电子器件的应用现状和发展的趋势,包括电力整流管、晶闸管和绝缘栅双极晶体管、智能功率模块的应用,氮化镓、碳化硅、电子器件......
文章介绍了原GTO(门极可关断晶闸管)牵引相模块结构及其工作原理，并分析了其电气性能及驱动电路波形;在此基础上研制了用于替代GTO......
介绍了新一代电流等级可达2500A/1200V的IGBT模块,分析了新一代IGBT模块的特点.并对目前市场上三种比较流行的500kW光伏并网逆变器......
内透明集电区（Internal Transparent Collector,简称ITC）绝缘栅双极晶体管是新一类IGBT,它在传统PT-IGBT结构基础上,在集电区近集电......
针对目前在电压源换流器中,IGBT的开关频率越来越高,开关器件的损耗在电力电子装置中作为一种不可忽略的因素,本文以PLECS软件作为......
SiC IGBT的沟道载流子迁移率会因为SiC/SiO2界面态及离子注入后退火形成P阱产生的界面粗糙而降低,为了改善这种影响,本文中设计了......
本文讲述了华虹宏力简介，华虹宏力功率技术概况简介，分析了华虹宏力量产IGBT技术介绍，华虹宏力IGBT技术发展方向，总结出了全球最大的功......
UPFC换流阀中所使用的绝缘栅双极晶体管(IGBT)在高速开通与关断中会产生大量的电磁骚扰,可能会影响外电路的正常工作.本文以Infine......
功率器件是电力电子技术的基础,对IGBT建立合适精度的仿真模型成为一项极其重要而关键的工怍。本文基于IGBT的结构、工怍原理,比较......
本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工......
近年来电力半导体器件飞速发展,在大功率应用领域,尤以IGBT和IGCT大功率开关型器件的发展尤为迅速,本文研究这两类电子器件在逆变......
本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导......
由于目前单个IGBT开关功率管耐压有限，在高压大功率领域需要多个功率器件串联使用。串联使用IGBT时，为了确保器件不被过压损坏，需要采......
静止同步补偿器(STATCOM)是目前用于电力系统无功补偿领域最先进的装置,属于灵活柔性交流输电系统(FACTS)的重要组成部分.本文介绍......
本文介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)与快恢复二极管(FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景以及发展趋势。阐述了器件仿真软件IsE的基......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
新时期我国科学技术发展水平的不断提升,对轨道交通车辆制造及性能优化产生了积极影响。为了增强轨道交通车辆牵引效果,丰富其技术......
@@绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种由MOSFET，和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。简述了IGBT在国内外的发展概况，在各个领域的应用......
SiC器件由于具有高的禁带宽度,高的热传导,以及高耐压等特点,可以工作于高温,高频条件下,并且能够显著的减小控制器重量和体积逐渐......
本文介绍了IGBT的基本结构和工作原理，介绍IGBT的特性，针对各个特性，着重分析讨论IGBT设计中的关键参数，IGBT设计中需要协调的几个参数......
Compact Azipod推进器,由和永磁同步电动机的转子同轴的定距螺旋桨构成.推进电动机的定子烧嵌在吊舱内,利用周围的海水对流进行冷......
在以绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)作为开关器件的直流/交流(DC/AC)变换器中,为了保证处于高速开关......
随着电力电子器件制造工艺的不断改进和变流技术的逐渐完善,绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为功率......
电子元器件物料直接影响着整机的质量与可靠性。准确地评价电子元器件物料的优劣对于指导产品选型进而提升整机的可靠性具有重要的......
混合式断路器在直流微网应用中将多个绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)串联以承受关断过电压,为此对IGB......
介绍单相双极式并网逆变器的设计方法，采用TMS320F2407作为控制器，以实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)正弦脉宽调制(SPWM)、电流输出......
这篇文章提出一种全新的反向导通二极管效应逆导型绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT),利用反向导通二极管处于反偏时候的隧道效应来实现器......
本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 ......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了MOSFET的栅极电压控制特性和BJT的低导通电阻特性,在电网控制中得到越来越广泛的应用,尤其是1700V和......
介绍了IGBT器件的特性，对其应用领域进行了详细描述。参照IEC60747-9绝缘栅双极晶体管等标准，给出了IGBT器件环境试验的技术方案......
随着逆变技术的快速发展,特别是绝缘栅双极晶体管IGBT的出现,给逆变电焊机的发展带来了广阔的前景.本文结合逆变电焊机的原理,简单......
该文介绍了目前国内外在建立绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）电路仿真模型方面所取得的主要成果，并着重讨论了一种能方便地植入ＰＳＰＩＣＥ的ＩＧＢＴ宏观模型及其仿真......
该文介绍绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了一种用于１０００Ｖ ＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了电流２０Ａ，耐压１０００Ｖ的实验结果。......
绝缘栅双极晶体管(IGBTs)能使调速驱动装置产生18000～20000次/秒的电压开关次数,这就意味着电压上升的时间非常短促,大多短于1μs.......
绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)等电力电子器件及其应用技术是信息产业和传统产业之间的主要接口，是弱......
半导体器件是电力电子技术的基础，一种新型器件的诞生往往使整个电力电子行业的面貌发生巨大改观，促进电力电子技术飞速发展。绝缘栅......
绝缘栅双极晶体管(InsulateGateBipolarTransistor,IGBT)是一种由场效应晶体管(MOSFET)和双极型功率晶体管(BJT)结合而成的达林顿......
该文主要介绍了一种专用于数字电机控制的新型数字信号处理器(DSP)TMS320F240, 及戎在变频调速系统中的应用.在简要介绍变频器的基......
