金属-半导体-金属相关论文
快速响应光电探测器在光通信、高速摄影、生物医学成像等领域有广泛的需求。目前，市场上应用的快速响应光电探测器大多基于硅、砷化......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
基于金属-半导体-金属（Metal-Semiconductor-Metal,MSM）结构所制备的光电探测器具有响应率高、暗电流低、容易集成等优异的特性,所以......
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I......
应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发......
金属-半导体-金属(MSM)结构探测器结构简单,可避免材料因高掺杂所带来的困难,简化了加工、制备的过程。MSM型紫外探测器优点多:高......
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列......
基于国内的材料和工艺技术，研制出850nm单片集成光接收机前端，集成形式包括PIN／TIA、PIN／DA、MSM／TIA和MSM／DA等。对光探测器和电路分别......
与商用硅基或磷化镓光电二极管相比,In Ga N基可见光光电二极管在窄带通可见光应用领域表现出明显优势。到目前为止,In Ga N/Ga N ......
采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X......
采用Ni／Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器，并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性．结果表明，阵列探测器......
应用MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式，得到金刚石膜MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线，与实验曲线进行比较，发现两者吻......
如今短距离通信的带宽需求越来越高,电互连已经成为制约通信系统整体性能的瓶颈,光互连能够有效地提升传输带宽,但高昂的成本限制......
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等离激元纳米结构能够把光场局域到非常小的空间,而应用在表面增强光谱、生物传感和太阳能电池等领域.我们设计了一种对光场具有高......
金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PDs)本身固有的高速、高响应率、易集成等特性使其在光纤通信、传感、制导等多个领域受到广泛关......
宽禁带半导体,又称为第三代半导体材料,具有宽带隙、高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率等优良的物理特性,是制备高功率、高温......
紫外探测器被广泛的应用于军事、商业、科研等方面领域。这些应用中包含：保密的点对点紫外通信,紫外导弹预警,紫外光谱学,生物化学......
(Al)GaN基材料具有连续可调的禁带宽度(3.4eV-6.2eV)、抗辐射和耐高温的特点,非常适合于制作高灵敏的紫外探测器,并且在导弹羽烟探......
作为第三代宽禁带半导体材料的代表,氮化镓（GaN）具有直接带隙、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的材料特性,非常适合制备高性能......
提出了一种新型具有掩埋电极的金属-半导体-金属（MSM）探测器原型器件结构，并用数值计算的方法研究了其激活层内电场的分布特性，讨论了......
第三代半导体材料碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数低、热稳定性好等特点，在高频大功率电子器件以及耐高温光电器件......
本文主要采用石墨烯(Gr)独特的优势来制备和表征石墨烯／硅(Gr/Si)的光电探测器。并在此基础提出并深入探讨了提高背对背肖特基结的......
近年来，MgZnO基日盲紫外光探测器由于在紫外通讯、导弹预警以及火焰探测等方面具有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注，是当前光通......
近些年来，科研工作者一直致力于研究通过表面等离子体(SPs)控制光在纳米尺度上进行传播。SPs能突破传统衍射极限，是一种局域在金属-......
紫外光电探测器可用于科研、军事、航空航天、环保和其它许多领域中,由GaN基材料制备的MSM（金属-半导体-金属）光电探测器是人们研究......
