日盲紫外探测器相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
AlGaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度随铝组分变化从3.4 e V至6.2 e V连续可调,覆盖200-365nm波段,能够实现日盲紫外光本......
随着如今电子元器件更趋向于大规模集成化和微型化,传统半导体材料逐渐暴露出短板,因此,科研人员在自然界寻找一些能够取代传统材......
日盲紫外探测技术由于其抗干扰能力强、高灵敏度逐渐引起了科研人员的关注。由于Ga2O3具有合适的带隙（4.8-5.61 e V）、无需合金以及......
本文在室温下利用射频磁控溅射技术在(001)蓝宝石衬底上制备了不同厚度的b-Ga2O3薄膜,随后将其置于氩气气氛中800℃退火1 h.利用XR......
基于宽禁带半导体材料氧化镓(Ga2O3)制备日盲深紫外(UV)光电探测器是当前研究的热点课题之一,但如何制备出高性能的Ga2O3基日盲探......
由于在日盲紫外探测方面的应用前景, 具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提......
本文采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGa材料,通过优化AlN和AlGaN 材料的生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ......
单斜氧化镓(β-Ga2O3)材料因其独特而优异的光电特性在日盲紫外探测领域具有广阔的应用前景,受到国内外研究者的广泛关注.本研究工......
ε-Ga_2O_3作为氧化镓五个多晶型物中的第二热力学稳定相,具有禁带宽度大、铁电性能优越、自发极化性质强等优点,这使得ε-Ga_2O_3......
日盲紫外探测技术由于背景噪声低和灵敏度高等优点,被广泛应用于火焰检测、高压电晕、生物/化学分析、臭氧层监测、导弹制导及空间......
三氧化二镓具有五种晶相结构,其中β-Ga_2O_3有着优异的化学稳定性和热稳定性。其禁带宽度在4.9 eV,对应日盲波段,完美适用于日盲......
单斜结构β-Ga2O3是一种超宽带隙(4.9eV)的新型半导体材料,在新一代电力电子器件和光电器件领域有着广阔的应用前景。β-Ga2O3无需......
太阳光中200-280nm波段由于大气层及平流臭氧层吸收,无法到达地面。因此,通常被称为日盲区域。探测该波段区间的光电探测器称为日......
工作于日盲紫外波段的光电探测器,在导弹逼近告警、超高压与特高压输电线路漏电电晕探测等国防和民用领域有着重要的应用前景和市......
作为一种宽禁带氧化物半导体材料，纤锌矿相MgZnO三元合金材料具有优良的光电性能和与ZnO相匹配的晶体结构，在低阈值室温激光器、高效......
日盲紫外探测器在导弹预警、火灾检测和环境紫外线检测等领域有越来越重要的应用，受到了人们的广泛关注。特别在超高压、特高压线路......
由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注.获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升......
由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注.获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升......
全固态日盲型紫外探测器具有体积小、功耗小和虚警率低等优点，在机载导弹预警方面具有广阔的应用前景。宽禁带半导体是这类探测器的......
氧化镓（β-Ga2O3）作为一种新型半导体材料,具有超宽带隙、高击穿电场、良好的热稳定性和化学稳定性等优点,是一种很有前景的半导体材......
近年来,日盲紫外探测器在民用和军事应用中受到了广泛关注,如导弹跟踪、短距离安全通信和臭氧层空洞检测。宽禁带半导体材料适合制......
由于臭氧层的吸收,波长为200 nm-280 nm的光到达不了地球表面,该波段称为日盲区。对于日盲区的深紫外探测因不受太阳光背景的影响,......
学位
采用射频磁控溅射技术和热退火技术在石英衬底上制备了微晶态Ga2O3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-红外......
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为了提高Ga2O3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明......
局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓（b-Ga2O3）薄膜金属-半导体-金属（MSM）日盲紫外探......
紫外探测技术在军用和民用领域均有着广泛应用,第三代宽禁带半导体材料AlGaN具有击穿场强高、热导率大、耐高温、抗辐照等特点,由......
日盲紫外探测器具有性能稳定、虚警率低的优点,在环境监测、火焰探测、化学分析、通信和导弹预警等方面具有非常广泛的应用。β-Ga......
近年来,随着导弹预警、臭氧空洞监测等需求的提出,日盲紫外光电探测器件的研发越来越重要,鉴于硅材料的局限性,常用的硅基光电探测......
氧化镓(Ga_2O_3)作为一种新型半导体材料由于具有热稳定性好、化学性质稳定、击穿电压高等优点被广泛应用于各种功率器件中。其禁......
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生......
介绍了在近地空间环境的理想条件下,即时全球打击（prompt global strike,PGS）武器地球曲率限的最大可探测距离的计算方法。根据黑体......
本论文的研究工作围绕混合结构MgZnO薄膜日盲紫外探测器的紫外光响应特性及信号噪声比等特性的研究展开,主要研究混合结构MgZnO薄......
MgZnO合金薄膜材料可以调制带隙范围很宽(3.37eV-7.8eV),涵盖了整个日盲紫外波段。这使得MgZnO可用于高灵敏度的日盲型紫外探测器......
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射......
一、紫外日盲波段近年来随着碳化硅（SiC）材料制备技术的日趋成熟和成本的不断下降,利用这种新兴半导体材料制成的紫外探测器件得到了......
氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为4.9 eV,对应波长为253 nm,是天然的日盲紫外探测材料,近年来越来越受到研究人员......
近年来,日盲紫外光电探测器成为了国际上一个新的热点研究领域,主要由于其在军事和民用上的应用与日俱增,如导弹来袭预警、火灾防......
近年来,在半导体产业的发展中,氧化镓(Ga2O3)材料受到了越来越多的关注,优异的材料性质使Ga2O3在光电器件和高频高功率电力电子器......
β-Ga2O3作为一种新型的宽禁带半导体材料,不仅具有超宽的带隙和高耐压、低损耗特性,而且具有很好的化学和热稳定性,这使其在高功......
β-Ga_2O_3是一种直接宽带隙半导体(4.5-4.9eV),化学稳定性、热稳定性良好,在深紫外监测中有着广阔的发展前景。β-Ga_2O_3紫外探......
