氢化非晶硅相关论文
本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对......
Fourier红外透射(FTIR)谱技术和透射-反射光谱实验是研究氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜中氢含量和光学带隙等微结构最有效的手段.样品用......
本文介绍了一种在沉积室样品台下方放置永磁体单元,以提高微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积速度的新方法.实验表明,采用这一......
由于触控侦测阶段的保持电荷损失和驱动晶体管的阈值电压漂移,传统的栅极驱动电路用于高触控侦测率的内嵌式(in-cell)电容触控屏时......
利用电化学阳极腐蚀的方法制备了多孔硅膜，实验发现多孔硅膜为多层结构，表面层为纳米结构，其余为微米结构，多孔硅的物理及化学结构的研......
本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H......
报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨......
描述了氢化非晶硅／铁电液晶空间光调制器的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对光敏层的特性要求，对ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜ｐ－ｉ－ｎ光敏......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度......
９０年代，发现一定成份和结构的多孔硅可以在可见光区发光，该项工作在国际上产生很大影响．为解释其发光机制，先后提出量子限制模型、发光中......
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激......
用自洽场分子轨道从头算方法(ab initio)计算研究了氢化非晶硅α—Si:H中Si—H,Si—(H_2)—Si及Si—H—Si等键合构型,并与Johnson,......
氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用。本文采用热丝辅助MW ECRCVD技术,通过调整各种工艺参数,......
研究了一种氢化非晶硅(a:H-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下,分别应用4、8、1......
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了......
报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过......
本文报道了用微波等离子体化学气相淀积(MP—CVD)技术从 SiH_4+H(?)进行 a-Si∶H 薄膜的高速淀积研究。对淀积参数对淀积行为的影......
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall......
以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.......
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶......
研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向......
系统地研究了低压热丝化学汽相沉积技术中沉积气压、衬底温度、钨丝温度等参量对氢化非晶硅膜结构、光电特性及稳定性的影响。结果......
由于光学薄膜的透射光谱和反射光谱受表面粗糙程度的影响很大,因此在确定表面粗糙薄膜的厚度及光学常量时,如果不考虑这种影响必然......
第2期光CVD技术专辑用于半导体工艺中的光CVD技术Hg敏化光CVD-SiO_2薄膜的研究硅衬底上光CVD-SiO_2薄膜附着力和应力的研究Hg敏化......
使用透射电子显微镜,对光化学气相淀积法淀积的氢化非晶硅薄膜的微晶结构进行了研究.非晶硅薄膜上表面的圆形结构对应于圆柱形晶体......
氢化非晶硅(a—Si∶H)因基隙态密度低,能实现可控掺杂,在可见光区具有高的光吸收系数。因此,在低成本太阳电池、薄膜晶体管及成象......
氢化非晶态硅具有优异的光电导特性,作为摄象管靶面是其应用的一个重要方面,有关的基本情况可参见。本文将介绍我们实验室用射频......
本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点......
本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子......
半导体材料的激光化学气相淀积即光CVD(Pheto-Chemical Vaporous Deposition)是近几年发展起来的低温淀积技术。它具有淀积温度低......
本文报道的实验中,使用了波长比源材料气体吸收边短得多的真空紫外光(VUV)作光源,使气体源材料能有效地被分解,通过气体源和光源适......
本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高......
高频等离子休沉积是高频放电等离子体化学气相沉积的简称,是近二十年来进展异常迅速的固体薄膜制备技术.在半导体工业中,这种技术......
本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型......
氢化非晶硅系薄膜(a-Si:H、a-Si:F:H、a-Si_(1-x)C_x:H、a-Si_(1-x)C_x:F:H、a-Si_(1-x)N_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x:H、a-Si_(1-x)Ge_x......
当今最重要的电子材料是半导体单晶硅,用它不但可制做各种二极管、三极管还可将成千上万个元件集成在一个小硅片上.从大型计算机......
采用低浓度硅烷,低生长速率,在PECVD系统中制得高掺杂氢化非晶硅(N~+α-Si:H)薄膜,其电导率高达5～36Ω~(-1)cm~(-1)。应用该技术制......
本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积......
报道了一种模拟共振反应产额曲线的方法。利用~(11)B(p,d)~8Be在E_P= 163keV的共振反应,通过反应产额曲线的模拟研究了不同衬底温......
