氢化非晶硅相关论文
本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对......
报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨......
研究了一种氢化非晶硅(a:H-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下,分别应用4、8、1......
为了避免驾乘人员在汽车行驶中产生视觉疲劳,车载显示的背光亮度不宜过亮,但也不能太暗,否则会使驾乘人员难以识别到显示的具体内......
本文报道的内容为a-Si:H/c-Si异质结太阳电池(简称a/c硅太阳电池)结构设计和相关材料ITO与a-Si:H研究的工作。本文第二章简要介绍......
采用等离子增强化学气相沉积系统(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积氢化非晶硅(HydrogenatedAmorphousSilicon)，通过正......
该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er......
晶体硅异质结太阳电池是一种由非晶硅薄膜与晶体硅材料构成的半导体器件,其中晶体硅部分一般为N型掺杂,它具有开路电压高、转换效......
本文就高亮度、高分辨率大屏幕液晶光阀投影机中反射层及光电导层进行了研究，主要工作有两部分：光电导层（a-Si:H）的制备工艺；介质反射镜......
4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制......
利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的......
用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）制备磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，研究了辉光放电气体压强（20～80Pa）对薄膜折射率、消光系数、光......
采用微波ECR CVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析.a-Si:H薄膜中氢......
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄......
采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:H薄膜......
采用等离子束源化学气相沉积（CVD）设备制备氢化非晶硅薄膜。使用台阶仪、UV-Vis-NIR分光光度计、X线衍射仪（XRD）及扫描电子显微镜（SEM）等......
将薄膜太阳电池制作在非晶Si和玻璃的基底上是一项非常有挑战的工作,因为这些非传统基底并不适合当前的薄膜太阳电池（TFSCs）制作工艺......
对氢化非晶硅(a—Si：H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验，对所得样品用X射线衍射表征．针对多晶硅(111)面特征峰......
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的......
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬......
对近几年来几种掺铒硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提......
氢化非晶硅（a-Si：H）是一种重要的光敏感薄膜材料，其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si：H薄膜稳定性的研究进......
报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际......
等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备高品质氢化非晶硅(HQ a-Si:H)工艺中,射频(rf)功率密度/SiH4流速率匹配(Pd/fr)的研究已有许多......
为了简化多电磁线圈MWECR—CVD装置，提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合，以形成所需的新型磁场，这一磁场可使等离子体集聚于样片......
氢化非晶硅(a-Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅一氢合金膜,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键,在光、电......
伴随着纳米科技的迅速发展,微/纳器件已广泛应用于生物医学、先进制造、军事国防等众多领域。硅基半导体器件(如MEMS/NEMS)是典型......
室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行处理,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱3种测试手段对非晶硅的微结构......
氢化非晶硅薄膜（a-Si∶H）是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响。介绍了H对薄膜稳定性影响......
采用紫外-可见透射光谱仪测量了对靶磁控溅射沉积法制备的氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜的透射光谱和反射光谱.利用T/（1-R）方法来确定薄膜的吸......
研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响.采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表......
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利用等离子体增强化学气相沉积技术在硅基底上沉积了氢化非晶硅(α-Si:H)薄膜,通过纳米压入仪、电子薄膜应力分布仪、傅里叶变换红......
期刊
将具有能量９２ｋｅＶ、剂量１×１０＾１５／ｃｍ＾２的ＢＦ＾＋注入由ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中，然后用功率为６０Ｗ、束斑直径０．２ｃｍ的ＣＷＣＯ２激光器进行１０ｓ快速退火。再用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）进行显微形貌......
运用分子动力学方法模拟了不同基底温度下在硅（100）表面沉积生长氢化非晶硅薄膜的过程。Si-H体系的原子间相互作用采用Murty-Tersoff......
离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提......
硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观......
采用射频磁控溅射的方法制备了微量硼掺杂氢化非晶硅薄膜,对样品的光电导性能进行了研究。结果表明,不同的硼掺杂量下,氢化非晶硅......
回顾了位置敏感传感器(PSD)的发展历史,介绍了各种光敏面结构的PSD。并结合研究成果,阐述了单晶硅、氢化非晶硅、有机材料、大面积......
期刊
针对非对称双栅结构的非晶硅薄膜晶体管,根据高斯定理建立了表面势与背电势随栅压变化的隐含关联方程组,通过求解一维泊松方程推导......
期刊
以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积(LF-PECVD)方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。在薄膜沉积过程中......
在能源危机和环境污染日益严峻的今天,如何高效利用绿色清洁的太阳能受到了广泛关注和研究,晶体硅太阳电池是利用太阳能最有效的手......
采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪......
Ni-MH电池虽具有优良的功率特性、单位体积能量密度和安全性,但因开路电压受限于水系电解质较窄的电化学窗口（水分解理论电压1.23V）,......
新型功能材料的表面光电压谱与光电特性研究博士研究生王宝辉导师李铁津，王德军（学位授予单位吉林大学化学系，长春１３００２３）多孔硅、氢化非晶硅......
液晶空间光调制器是一种对光波的光场分布进行调制的器件,它能够接受较低强度的光驱信号或电驱信号,实现对另外一种光信号振幅、相......
