采用等离子增强化学气相沉积系统(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积氢化非晶硅(HydrogenatedAmorphousSilicon)，通过正交实验设计优化了制备氢化非晶硅的沉积工艺。在实验中着重改变了对薄膜特性影响几个工艺条件，如：射频功率、沉积温度、压强、源气体流速。实验使用的源气体为硅烷，基片是双面抛光的n型(100)硅片，直径为2英寸。利用四探针测试法、傅立叶红外光谱分析、X射线衍射(XRD)分析，研究了薄膜的宏观与微观性能，分析了薄膜制备工艺条件对薄膜性能的影响。通过正交数据分析得出，射频功率对电阻温度系数(TemperatureCoefficientofResistance)、方块电阻、电阻率影响大；沉积温度对薄膜应力影响大。关于薄膜的每一个性能，都有一组可能的最优化沉积参数。通过研究发现，兼顾薄膜各项性能的一组最佳参数为功率：80W、温度：250℃、压强：67Pa、流速：160sccm。 为了更深入的研究参数影响性能的趋势，对薄膜做了微观结构的研究，包括吸收率和晶态结构。红外光谱显示，各种工艺参数制备的薄膜的红外吸收特性基本相同。通过XRD分析，进一步证实所沉积的薄膜为非晶结构。 通过对氢化非晶硅薄膜的研究，在优化的参数条件下沉积的α-Si：H薄膜沉积速度快，达到32.5nm/min，还具有低应力、高TCR的特点。