A-SI:H薄膜相关论文
用VHF-PECVD技术沉积了一系列样品,用Keithly公司642静电计和惠普公司的8520数字多用表测试了它们的光电特性.研究光电特性和光致......
a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长......
晶体硅/非晶硅异质结(HAC)太阳电池因高开路电压(VOC)和工艺步骤少等优势,在高效太阳电池中备受关注。非晶硅(a-Si:H)钝化层为HAC......
射频磁控溅射法制备a-Si:H薄膜,利用椭圆偏振光谱对不同气压下a-Si:H薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。薄膜采用双......
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入......
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、......
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外......
采用表面光电压谱和光电化学方法,对不同掺杂类型的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究,测定了a-Si:H薄膜......
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化.着重指出了各种晶化......
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外......
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶......
采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入......
为了定量地得到磁场梯度对a-Si：H薄膜沉积速率的影响，对单磁场线圈分散场MwECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形......
第三代纳米孔DNA测序随着MEMS工艺的不断成熟取得越来越大的进展,但DNA过纳米孔速度过快,信号复杂等难题还是阻碍着其进一步的研究......
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法制备磷掺杂氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射......
通过应用Scharfetter-Gummel数值求解Poisson方程,对热平衡态p+(a-Si:H)/n(c-Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析.结果指......
