高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化

来源 :辐射研究与辐射工艺学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jerry8006

【摘要】

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氢化非晶硅(a-Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅一氢合金膜,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键,在光、电老化过程中,它们会断裂或变形,导致缺陷态的

【作者】

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钟雨乐黄君凯刘伟平李京娜

【机构】

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暨南大学电子工程系,烟台师范学院物理系

【出处】

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辐射研究与辐射工艺学报

【发表日期】

：

2001年2期

【关键词】

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高能电子辐照微晶化氢化非晶硅 Irradiation of electron with high energy Amorphous silicon Mi

【基金项目】

：

国务院侨办重点学科建设基金

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氢化非晶硅(a-Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅一氢合金膜,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键,在光、电老化过程中,它们会断裂或变形,导致缺陷态的增加,使材料性能变坏.a-Si:H微晶化后,这些缺点将得到有效的克服.结果发现,用0.3-0.5MeV、注入束流密度1.3×1019cm-2s-1的高能电子辐照10-600s,a-Si:H膜会出现微晶化现象,晶粒大小为10-20nm,晶化层厚度为25-250nm.

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