建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势.采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力......

采用原子层沉积(ALD)技术,以四(乙基甲基胺基)铪(TEMAHf)和去离子水为前驱体,沉积温度分别为150、200、250和300℃时,在单面抛光硅......

采用原子层沉积(ALD)工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝(AlN)晶态薄膜.利用椭圆偏振光谱法在波长275～900 nm内测......

采用原子层沉积(ALD)技术在燃油喷嘴模拟实验件表面制备了TiO2、TiO2/Al2O3和TiO2/Ru 3种结焦抑制涂层,在实验温度为800 K,燃油流......

在原子层沉积(ALD)过程中，通过使用两种或两种以上以上的气态前驱体在基底表面交替发生化学吸附实现原子级精度的可控薄膜生长.这种......

以GaN 基为代表的半导体材料(GaN、AlN 和InN)与器件应用的突破皆是基于高温金属有机化合物化学气相沉积和分子束外延技术上实现的......

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基于区域选择性原子层沉积(AS-ALD)技术的自下而上制造工艺近年来在半导体、催化剂等领域得到了迅速发展.AS-ALD本质上是在同种材......

目的大幅提高微通道板增益,延长寿命。方法采用原子层沉积技术(ALD)在微通道板(MCP)大长径比(40:1)通道内壁沉积Al2O3/MgO复合膜层......

提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-......

原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD......

二氧化钒（VO2）薄膜是一种新型功能材料，其在68℃附近可发生低温半导体相与高温金属相（S-M）之间的可逆相变。伴随晶体结构的转变，VO2薄膜......

原子层沉积(ALD)是一种具有表面自限性的薄膜生长技术,可以在纳米范围内通过控制循环数,控制Al_2O_3的包覆量,从而提高聚烯烃膜的......

随着半导体技术的发展,ZnO作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、载流子漂移饱和速度高和介电常数小等优点,更适合制作蓝光和紫外......

随着生物医学的不断探索与创新,3D打印技术因其独特的优势在医学领域已成为支撑第三次产业革命的关键技术。然而3D打印材料的生物......

采用原子层沉积技术(ALD)在不锈钢微通道管式反应器内壁沉积二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2)薄膜,以抑制碳氢燃料热裂解过程中由于......

回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......

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近几十年来,随着对新型材料的需求越来越大,作为合成纳米材料的一项新兴技术,原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)越来越......

为提高电容器的比电容,设计了基于三维(3D)结构的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。采用原子层沉积(ALD)技术制备电容器功能薄膜层,通......

在高性能红外焦平面探测器快速发展的驱使下,新一代碲镉汞红外探测器不仅要实现新型探测器的结构设计与优化,还要发展新型探测器的......

随着社会资源的日益枯竭和环境问题的不断恶化,催化在化工生产和改善环境等方面正扮演着重要的作用,金属纳米催化剂以其优异的催化......

硅基的微机电系统(MEMS)器件摩擦特性较差。器件运行过程中,相互接触的部件可能会由于大的粘附力而吸附在一起,致使器件失效。此外......

原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段。简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较......

原子层沉积技术（ALD）可制备出平滑、均匀可控的高质量薄膜,较传统制备方法而言,具有高度可控性和重现性,成为纳米二氧化钛（TiO2）薄膜制......

等离子体增强原子层沉积(PEALD)是一种低温制备高质量超薄薄膜的有效手段,近年来正受到工业界和学术界广泛的关注。简要介绍了PEAL......

宽禁带半导体TiN作为扩散阻挡层以及场效应管的门电极在集成电路中发挥重要作用。通过原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技......

为了减少原子层沉积(ALD)方法在氧化物薄膜制备过程中ALD反应气对有机电致发光器件(OLED)性能的影响,利用旋涂光交联聚合物技术,直......

通过原子层沉积(ALD)技术在微米级奥克托今(HMX)炸药颗粒表面包覆了氧化铝和氧化锌薄膜.采用X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对包......

通过原子层沉积（ALD）技术以三甲基铝和水作为前驱体在二硝酰胺铵（ADN）表面沉积氧化铝包覆膜。分别采用扫描电子显微镜（SEM）,X射线光电子......

pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能,提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化......

随着集成电路的发展,摩尔定律一直驱动着集成电路特征尺寸逐渐减小。集成电路的基本单元即金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET......

硅(Si)的理论比容量高达4200mAh g-1，远高于传统的锂离子电池负极材料石墨的理论比容量(372mAh g-1)，被认为是最具有应用潜力的锂离......

同时含有金属和酸性位点的双功能催化剂已广泛用于石油加氢裂解和可再生生物质转化。这两种位点之间的距离对双功能协同作用起着至......

针对有机电致发光器件(OLED)在空气中水汽和O2作用下寿命下降的问题,提出一种对OLED进行薄膜封装方法。封装薄膜由电子束蒸镀Al2O3......

采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100)Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射......

介绍了原子层沉积技术的原理和特点,并对比传统物理及化学气相沉积薄膜制备工艺,总结了原子层沉积技术在含能材料合成及表面修饰改......