本文主要研究了InGaAsSb半导体激光器的欧姆接触特性。在对课题的研究背景、国内外发展状况进行简单的介绍的基础上,阐述了半导体激光器系统和Ⅲ-Ⅴ族材料的性质,并详述了InGaAsSb半导体激光器的主要用途、优势以及目前的研究进展。分析了金属与半导体整流接触及欧姆接触的相关原理,设计了一种GaSb基半导体材料欧姆接触的金属化结构。论文详细讨论了n型GaSb的欧姆接触形成机理,以及形成欧姆接触的过程中遇到的元素原子间互扩散所引起的可靠性问题,提出在势垒层和接触层中加入扩散阻挡层,并用扫描隧道显微镜和X射线能谱仪对扩散阻挡效果进行了测试和分析。在实验方面,分别对扩散阻挡层厚度、退火温度对欧姆接触影响进行了实验,研究了样品金属化后样品表面形态及各层原子间的扩散情况,重点分析了扩散阻挡层Mo对样品表面形态变化及各层元素原子间扩散影响。在以上的工作中,我们初步看到,扩散阻挡层的添加,对欧姆接触有着一定的改善作用。本项研究为提高InGaAsSb半导体激光器的整体性能有着积极的作用。