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随着集成电路工艺技术的不断发展,与Al及其合金相比Cu由于具有电阻率低和抗电迁移能力好的特点已经成为大规模集成电路的互连材料。然而Cu与介质层的粘附性差,并且在180-200℃时,Cu和Si之间就会发生相互扩散而形成高电阻的Cu-Si化合物,导致器件性能恶化。因此,必须在Cu与Si之间插入一层扩散阻挡层来阻止Cu的扩散并改善Cu与Si的粘附性。本论文的研究对象是Zr基扩散阻挡层材料,采用磁控溅射技术在n型Si(100)基片上沉积了ZrN、ZrN/Zr/ZrN、TaN/Zr三种阻挡层薄膜,