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用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层，Cu／Zr-N／Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射参数对Zr-N薄膜电阻率和扩散阻挡性能的影响。实验结果表明，N2分压从20％增加到25％，电阻率快速增高；溅射偏压不同，Zr-N的结构可由非晶态结构转变为纳米晶。纳米晶Zr-N阻挡层650℃退火1h后仍能有效地阻止Cu的扩散。