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利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达1021cm-3量级.XRD分析薄膜物相结构发现,退火温度升高将导致Er偏析.通过RHEED和AFM显微分析可得,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌.这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光.