【摘 要】
：
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的
【机 构】
：
中国科学院研究生院,中国科学院微电子研究中心
论文部分内容阅读
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1, 3.0, 2.85, 2.6, 2.36, 2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.
其他文献
以金属锌(Zn)和金属铟(In)为靶材采用射频反应共溅射技术在硅(100)衬底上沉积了In掺杂ZnO薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)、热探针、四探针和荧光分光光度计分别对
在已有理论模型的基础上讨论了基质晶体离子质量差异对激活离子声子参助能量传递几率的影响.结果表明基质离子的质量差异除了导致声子频率的变化从而影响其声子参助能量传递
【正】 我馆是在1958年成立的。社会科学系统专业性图书馆,主要为社会科学研人员服务。图书资料报刊的采购和订购,都是以社会科学为主,自然科学次之。图书报刊资料,由建馆初
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响.当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时,从X射线衍射谱(XRD)和光致发光
采用湿法在碱土硫化物为基质的红色长余辉发光材料Ca0.8Sr0.2S:Eu2+,Tm3+表面包覆一层惰性的氧化物膜,使其与外界的环境相隔离,从而提高其化学稳定性.用XRD、SEM及能谱表征了
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜.利用红外吸收(IR)谱,光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱,研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结
在对PbWO4闪烁晶体的光谱特性、发光衰减及其温度依赖以及热释光的研究基础上,并结合理论计算,提出了PbWO4晶体发光的动力学模型,给出了PbWO4晶体的基本能带结构及激子发光中
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成.研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结
场发射显示器(field emissive display,FED)是一种新近发展起来的低压阴极射线平板显示器.Y2SiO5:Ce被筛选为这种显示器的蓝色荧光材料.然而该荧光粉发射光谱的峰值波长在410
碳纳米管由于尺寸极小,它具有很大的场增强因子,且场发射稳定,这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料.影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子,这需要求解