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制备了摩尔比为1：1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5：95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中，工作气压保持在1．8Pa不变，玻璃基片温度从室温（RT）～220℃之间变化。用x射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明，薄膜表面结构平滑、致密，呈微小晶粒结构，薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4＋和Ce^4＋的形式存