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半导体功率器件从19世纪40年代发展以来经历了不可控器件到半可控器件再到全控器件的发展。虽然新的功率器件问世并没有全面的取代以往的老一代功率器件，从而造成现在许多种类的功率器件共存的局面，但是在高速大功率器件中，IGBT仍然是最受关注器件之一。 本文详细的讨论了高速大功率器件IGBT的工作原理，器件的电气特性，主流结构及发展历史。并在深刻理解器件物理的基础上，改进了器件的结构，模拟仿真了一个新的具有低导通电压、快关断速度特性的反向导通IGBT。新器件由于加入的载流子存储层有效的增加了漂移区顶部的载流子密度，实现了漂移区和集电极等效的PIN二极管载流子浓度曲线更接近理想的PIN二极管，从而降低了器件的导通电阻;而底部的N集电极处在关断时提供的双NPN三极管通道能快速的抽取导通时由于电导调制效应积累在漂移区的载流子，保证了器件能够快速关断。总的来说，在没有影响其他电气特性的情况下，实现了低导通电阻和快关断速度的特点，得到了优化的Eoff-Von折衷曲线，降低了器件关断功耗，对绿色低能耗设计具有参考意义。 30多年来，IGBT自诞生到现在取得了长足的发展，但是国内的研究仍然处于相对落后的阶段。在本人进入课题的2010年，全国只有一两家企业具备1200VIGBT生产能力，因此在本文第四章节中，我们记录的一个自主设计并流片完成的1200V/25A的实际器件，及其测试结果，是对IGBT器件制作的一个有益探讨。