【摘 要】
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作为第3代半导体的核心材料,宽带隙半导体材料SiC及其器件制造技术,近年来得到了迅速发展。与传统半导体Si和GaAs相比,具有优良性质的SiC特别适用于制作高温、高频、高功率、
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作为第3代半导体的核心材料,宽带隙半导体材料SiC及其器件制造技术,近年来得到了迅速发展。与传统半导体Si和GaAs相比,具有优良性质的SiC特别适用于制作高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。文章利用SiC在UPS产品中的应用,在工作原理与系统损耗分析的基础上,采用SiC二极管代替传统Si二极管,通过实验和对比分析,验证了在PFC变换器中使用SiC二极管对系统整机效率的提升。
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