The passivation mechanism of nitrogen ions on the gate leakage current of HfO_2/AlGaN/GaN MOS-HEMTs

来源 :中国科学：物理学、力学、天文学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：myselffan

【摘要】

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在这份报纸，我们系统地高在 AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor 学习积极的门漏水流有用原子层免职(ALD ) 的 HfO2 电介质的电子活动性晶体管(MOS-HEMTs ) 。我们观察到合

【作者】

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BI ZhiWei HAO Yue FENG Qian JI

【机构】

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KeyLaboratoryofWideBand-GapSemiconductorMaterialsandDevices,StateKeyLaboratoryofASICandSystem,School

【出处】

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中国科学：物理学、力学、天文学英文版

【发表日期】

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2011年12期

【关键词】

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HEMT器件泄漏电流钝化机制氮离子 MOS 栅极高电子迁移率晶体管金属氧化物半导体 AlGaN/GaN MOS-HEMT passivation ga

【基金项目】

：

supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos.60736033 60890191）, the Fundamental Research Funds for the Central Universities （Grant Nos.JY10000925002 JY10000-904009）

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在这份报纸，我们系统地高在 AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor 学习积极的门漏水流有用原子层免职(ALD ) 的 HfO2 电介质的电子活动性晶体管(MOS-HEMTs ) 。我们观察到合并的氮离子将显然改进设备的积极的门漏水流，但是不改变反向的门漏水流。在在 HfO2 的氧空缺的氮离子的钝化机制被第一原则的计算学习。氧空缺引起的 HfO2 的差距状态增加 MOS-HEMTs 的积极的门漏水流，这被显示出。氮离子使钝化 HfO2 和减少的差距状态积极的门漏水流但是别完成

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