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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究人员提出了一种新的实现增强型P—GaN栅结构AlGaN／GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）的工艺技术——H等离子体钝化P—GaN技术。据悉，该技术通过H等离子体将P-GaN中的浅能级受主杂质Mg钝化成Mg—H中性复合物。
中科院苏州纳米所增强型GaN HEMT器件研究获进展
【摘 要】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究人员提出了一种新的实现增强型P—GaN栅结构AlGaN／GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）的工艺技术——H等离子体钝化P—GaN技术。据悉，该
【出 处】
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军民两用技术与产品
【发表日期】
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2017年5期
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