高阻GaN相关论文
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量......
GaN基宽禁带半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频、大功率微波电子器件方面具有巨大潜力和广阔的应用前景，GaN基......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管（HEMT）结构.对Cp_2Fe流量不......
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成......
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电......
GaN基半导体材料因其拥有很大的带隙宽度、高的击穿电场、高的电子饱和漂移速度以及强的抗辐射能力等优点,普遍应用于高温、高功率......
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