氮氧化硅相关论文
Al2O3-SiC-C质铁沟浇注料是高炉出铁沟的内衬材料,在使用过程中会不断地受到高温铁水和炉渣的腐蚀,这种快速的温度变化对它的耐热......
光延迟线主要用于信号的同步与缓存、光学相干断层成像技术、光信息处理与微波光子系统,特别是微波光子中的滤波和相控阵雷达天线......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮氧化硅（ＳｉＯＮ）所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结......
利用具有相反热光特性的氮氧化硅(SiON)与聚合物材料,采用混合集成技术设计了一种低功耗全内反射(TIR)热光波导开关。该光开关通过......
氮化硅材料具有优异的耐磨损、耐高温、耐腐蚀和抗热震性能,广泛应用于化工、能源和航空航天等领域;氮氧化硅材料还具有高韧性和更......
光学生物传感器因其响应速率快、灵敏度高、抗电磁干扰能力强的优势,在医疗、食品安全、环境检测等领域发挥着越来越重要的作用。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用二次离子质谱仪(SIMS)测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪(XRD)测量了沉积态有Ta阻挡层......
采用射频 (RF)反应共溅射法制备了 a- Si Ox Ny∶ Er3+薄膜 ,在不同温度下进行退火处理 ,并测量了样品的可见及红外发光 PL谱 ,观......
以介孔氧化硅MCM-41为氮化前驱体，以纯的氨气为氮源，通过调节氮化工艺参数，制各出了氮含量高达23．01wt％、比表面积高达665．4m^2·g^-......
氮化硅及氮氧化硅粉体在多晶硅光伏产业中有重要应用。本文研究其气相反应形成条件。研究结果显示,晶体硅微粉的气相氮化及氮氧化......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2 nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电......
在前期工作基础上，研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积......
利用具有相反热光特性的氮氧化硅与聚合物材料，采用混合集成波导结构设计了一种低功耗S型可变光衰减器．该衰减器以聚合物为芯层材料，......
德州仪器（TI）的技术主管宣布，采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展，这在TI 45nm晶体管技术中扮演了重要角色，目前正在向后半年实现......
AES分析表明,PECVD SiON-Si界面处存在一个很薄的富Si区域。本研究表明,它与介质膜的界面特性密切相关,对不同组分、不同工艺的介......
利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮氧化硅(SiOxNy)薄膜,通过X射线光电子能谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、椭偏仪等表征技术,研......
期刊
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中......
氮氧化硅薄膜综合了ＳｉＯ２膜和Ｓｉ３Ｎ４膜的优点，具有优秀的光电性能，力学性能和稳定性能，已经在光电领域获得了广泛地应用，此外在材料改性方面也有广......
重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。......
用SiH2Cl2、N20和NH3混合气体、借低压化学汽相淀积（LPCVD）工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N2O/NH3气体流量......
氮氧化硅(SiON)薄膜是一种新型的薄膜材料,具有优良的光电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能,但杂质氢的存在限制了它的应用......
本文是利用等离子体化学气相淀积法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD），在低温低压下，使用有机物TEOS（正硅酸四乙脂，Tetr......
学位
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.......
研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.......
研究了以回收提纯的太阳电池硅片线锯屑粉与粗粒石英粉为原料直接用N2气体氮化合成氮氧化硅（Si2N2O）的工艺条件,分析原料配比和反应......
研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3......
根据金属材料的高温氧化和防氧化特性,研究了不同保护膜对薄膜热电偶防氧化的机理,提出使用SiO2、SiOxNy薄膜作为抗氧化的保护膜。......
本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电......
采用基于密度泛函理论的第一原理方法计算了Si2N2O的电子结构和光学性质。能带结构分析表明Si2N2O是一种间接带隙的半导体材料,理......
针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,......
硅胶是目前高效液相色谱（HPLC）固定相中应用最为广泛的基质材料,其流动相的最佳使用范围为pH 2～8。在高pH（pH〉8）的流动相条件下,流动相......
综述了近几年氮氧化硅复合材料、氮氧化硅薄膜材料和介孔氮氧化硅材料的研究与发展现状。着重介绍了氮氧化硅薄膜材料的发光特性和......
综述了氮氧化硅的制备方法 ,系统介绍了无机固相反应法、化学气相沉积法和有机先驱体法制备氮氧化硅的工艺条件 ,阐述了终产品与原......
太阳能是利用价值最高的新能源之一,晶体硅太阳电池则是利用太阳能最有效的手段之一。为了降低生产成本并提高转换效率,晶体硅太阳......
随着无线通信的飞速发展,电子器件越来越朝着微型化、薄膜化、集成化的方向发展,作为电路基本元件的电容也因此受到科技界的广泛关......
在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿......
对500~1200 V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究。通过选择钝化膜介质(SiON)工艺条件,选择合适的光刻条件,使该......
研究了使用SiO2为氧源合成氮氧化硅时,SiO2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固......
可变光衰减器(Variable Optical Attenuator,VOA)可以根据用户的要求预期地降低光信号的能量,因此在光器件的性能检测及光通信系统......
随着社会和个人对通信容量的需求越来越大，全光网络不断发展，对传送网的速度，容量，网络的保护与恢复，网络间的切换等的要求越来越高。光......
在集成电路制造工艺中,附着在硅片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在现有的栅极多晶硅蚀刻后的氮氧化硅(SiON)掩......
我们用常压化学气相沉积法（APCVD），以SiH4和NH3为先驱体，在较低的温度（＜700℃）下制备氮氧化硅（Si-O-N）薄膜，并对其性能进行了研究。研究结果......
