PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zkhe

【摘要】

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我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,

【作者】

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曾天亮陈平江志庚李志彭

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海200233,上海200233,上海200233

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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1992年06期

【关键词】

：

PECVD SiON 氮氧化硅针孔密度台阶覆盖绝缘膜等离子增强化学气相沉积压应力金属层互连工艺

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我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.这种薄膜具有很小的压应力,很低的针孔密度,良好的台阶覆盖性等优点.这种绝缘膜是采用PECVD沉积工艺,以氮冲稀的低浓度SiH₄（3％）和N₂O气体为原料制得的. 本文着重介绍 PECVD SiON膜的性质及其在双层互连工艺中的应用.

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