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阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（北京１０２２０１）１前言ｄｉ／ｄｔ...
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为提高高频晶闸管的动态指标和高频性能，通过实验分析和理论推导，研究了工艺参数和设计参数对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ耐量的影响。实验结果表明：较......
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT......
