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给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输逢迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的高特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而基区及集电结ＳＣＲ区的电荷输运时间将成为提高Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ截止频率的主要制约因素。与实验报道的对比证实了本模型可作为优化器件设计的有效手段。