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本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型，借助这个模型，计算了赝晶生长在〈１００《Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２－３×１０＾１９ｃｍ＾－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此深度时，它则随Ｇｅ组分的增加单调下降。
p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
【摘 要】
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本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型，借助这个模型，计算了赝晶生长在〈１００《Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２－３×１０＾１９ｃｍ＾－３后，它在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而
【机 构】
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半导体超晶格国家重点实验室,西安交通大学电子工程系微电子研究室
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1997年8期
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