梯度掺杂相关论文
相变存储器是极具发展潜力的新型非易失性存储器,基于Sb2Te3的相变存储器具备极快的SET速度,但器件的热稳定性较差。在Sb2Te3中掺......
在最近的几十年里,物联网得到了迅速的发展,在物联网发展的影响下,人工智能,智能辅助系统等终端电子设备需要在我们社会的几乎所有......
有机电致发光二极管（Organic light emitting diodes,OLEDs）是一种新型的显示技术,其原理是利用有机材料作为发光层,在外加电压的驱......
随着科学技术的不断进步,微光夜视器件逐渐向数字化方向发展。电子轰击CMOS（EBCMOS）作为一种新型的数字化微光夜视成像器件,它具有设......
本文采用HMI 开发的AFORS-HET 软件模拟研究了AM1.5 条件下双层发射极(a-Si(heavy doped)/a-Si(light doped)/i-a-Si:H/c-Si,D-emi......
对梯度掺杂结构GaN阴极表面进行了化学清洗，清洗后利用X射线光电子能谱仪（XPS）分析了阴极表面，分析表明化学清洗能有效去除阴极表面的......
受激布里渊散射(SBS)效应是限制连续单频光纤激光最大输出功率的主要因素.为了抑制增益光纤中的SBS 效应，提出并设计了一种通过......
受激布里渊散射（SBS）效应是限制连续单频光纤激光最大输出功率的主要因素。为抑制增益光纤的SBS效应，通过改变增益光纤的掺杂浓度提出......
为了改善重频激光器的热性能,本文采用了键合Yb:YAG晶体薄片作为激光增益介质,介质中掺杂粒子浓度呈梯度分布.文章计算了不同参数......
在具有顶发射结构的白光有机发光二极管(TWOLED)中,稳定的纯白光比较难以实现.本文在蓝光/红光/蓝光三发光层基础上,进一步采用了......
随着社会的发展、化石能源的枯竭及环境污染的考虑，新能源汽车特别是纯电动汽车已经成为研究的焦点。其中高能量密度的锂离子电......
随着大规模集成电路产业不断向小型化发展的趋势,SiO_2作为传统的CMOS结构的栅介质已经不能满足目前的需求。寻找新型铁电材料与硅......
氧化锌(ZnO)半导体因具有较大的禁带宽度(3.37 e V)和较高的激子束缚能,在蓝紫光、紫外等短波长光电子器件领域有巨大应用前景,有......
薄膜晶体管（Thin-Film Transistor,TFT）是液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器面板上成千上万个像素点的核心控制单元。相比于......
能源与环境问题一直激励着科研人员对新能源材料及其相关器件的探索与追求。寻找简单、高效的可再生能源,实现能源和社会的可持续......
设计了电子倍增层的多种表层结构,并模拟分析了表层掺杂分布对电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件的电荷收集效率的影响.结合离子注入......
薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)是平板显示技术的核心器件，显示屏幕中的每一个像素都依赖TFT的控制和驱动。随着移动互联“5G......
讨论了ZnSe/GaAs/Ge等三功能层梯度掺杂异质单晶薄膜复合光电极的结构,分析了把它用于光电化学太阳电池、光伏太阳电池、肖特基光......
获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向。对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1μm分子束外延生长的......
为了提高掺稀土光纤的纵向温度分布均匀性和受激布里渊散射效应的阈值功率,研究了光纤纵向距离上稀土离子掺杂浓度呈梯度分布的掺......
论述了梯度掺杂对太阳能电池光伏转换效率的影响.利用掺杂半导体导带中自由电子数目及静电场理论,计算出了单晶硅指数掺杂的电场,......
研究表面势垒对梯度掺杂GaN光电阴极电子逸出几率的影响.计算梯度掺杂透射式GaN光电阴极的电子能量分布及逸出几率,结果显示梯度掺......
采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形......
高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺......
本文首次利用分子束外延(MBE)生长了多种由体内到表面掺杂浓度由高到低的梯度掺杂反射式GaAs光电阴极材料,并进行了激活实验,结果......
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜（Transparent conductive oxides-TCO）以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。......
近年来,有机-无机卤化铅钙钛矿太阳能电池的研究迅猛发展。在短短几年内,钙钛矿太阳电池实现了光电转换效率从3.8%至22.1%的飞跃[1......
通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10kV4H-SiC光触发晶闸管（LTT）进行了研究。短基区的施主杂质呈梯度分布，未耗尽......
利用GaN光电阴极多信息量测试评估系统,对反射式梯度掺杂和均匀掺杂GaN光电阴极样品进行了激活及衰减后的量子效率测试,并测试衰减......
采用累积误差小的Runge-Kutta-Verner方法,热平衡条件下n区厚度为80,100,200μm,分别在指数掺杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半......
随着新能源汽车的进一步商业化应用,市场对其续航里程提出了更高的要求,《中国制造2025》更是对其动力电池的能量密度做出了具体的......
通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀......
单晶高镍材料是目前研究的热点,因为它可以有效地解决高镍层氧化物循环过程中颗粒开裂的问题,并具有更好的循环稳定性。然而,由于N......
本文运用量子力学模型,通过自洽求解非平衡格林函数与泊松方程,研究异质栅梯度掺杂结构碳基场效应管的电学特性,研究了不同结构碳......
在高功率光纤激光器中,增益光纤的热效应是限制激光功率进一步提高的重要因素之一.为了降低增益光纤的最高温度,提出了一种通过改......
非晶铟稼锌氧化物材料（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO）自2003年提出以来,由于其迁移率高、大面积制备均匀以及可见光......
探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程。对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析。结果......
用sol-gel法在玻璃基片上分别制备了不同Al浓度掺杂和Al梯度掺杂的掺铝氧化锌（AZO）薄膜,并研究了分层退火和一次性退火对薄膜结构和......
用AFORS-HET软件对β-FeSi2（n）/c-Si（p）太阳能电池的发射层进行了梯度掺杂模拟,并研究了发射区掺杂总量相同时梯度掺杂和均匀掺杂对电......
通过掺少量Te提高ZnSe受主杂质浓度,从而制成ZnSe p-n结太阳电池.单结ZnSe光电池在AM1条件下光谱响应半宽度范围365～450nm,波长为40......
LiF极性分子的引入,在阴极和有机层界面处导致了有机层LUMO能带的降低,使得电子注入更加容易.在有机层内部,LiF极性分子、Li+共同......
研究了B,F,S梯度掺杂TiO_2薄膜的光催化活性,考察了晶相结构及吸收光波长的变化.结果表明,离子单掺杂或共掺杂后TiO_2薄膜的光催化......
