氧化锌（ZnO）是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 e V,较大的激子束缚能（60 me V）,具有良好的光电特性、易制备和无毒等优点,目前广泛应用在太阳能电池、发光二极管和紫外光探测器等领域。ZnO纳米棒阵列具有独特结构、大比表面积和为电子提供直接输运路径的特性,是最有希望构建高性能紫外光探测器的纳米结构之一。本论文采用水热法,生长ZnO纳米棒阵列,使用它们作为光敏层构建了紫外光探测器,研究了器件的性能,并研究了不同生长条件和退火温度的ZnO纳米棒阵列及其紫外光探测器性能。主要研究内容和具体结果如下:（1）研究了水热生长的ZnO纳米棒阵列及其紫外光探测器性能。前驱体浓度,生长温度和时间分别为0.05 mol/L,93℃和2 h,在氧化氟锡（FTO）叉指电极衬底上生长ZnO纳米棒阵列,结果表明:ZnO纳米棒近似垂直衬底,致密地生长在衬底上,形成良好取向排列的阵列,具有六方纤锌矿结构。进一步制备了紫外光探测器,发现该器件对紫外光具有良好的响应,器件的响应度、光电流增益、灵敏度、响应时间、恢复时间分别为1.06 A/W（3 V）,3.55（5 V）,37.93（-0.05 V）,0.8 s,3.8 s。（2）研究了不同水热生长条件的ZnO纳米棒阵列及其紫外光探测器性能。前驱体浓度分别为0.01 mol/L、0.025 mol/L、0.05 mol/L和0.075 mol/L,生长温度和时间分别为93℃和2 h,生长了ZnO纳米棒阵列。结果发现,随着前驱体浓度增加ZnO纳米棒平均直径增大,结晶性逐渐变好。另外,在88℃、93℃和98℃生长温度下,分别生长ZnO纳米棒阵列,结果显示:随着生长温度逐渐提高,ZnO纳米棒的直径分布范围和平均直径均减小。前驱体浓度和生长温度为0.05 mol/L和93℃,生长的ZnO纳米棒阵列基紫外光探测器具有最佳性能。（3）研究了不同温度退火的ZnO纳米棒阵列及其紫外光探测器性能。对ZnO纳米棒阵列进行不同温度退火,退火温度分别为350℃、400℃、450℃和500℃。研究发现随着退火温度提高,ZnO纳米棒排列变得更加致密、均匀。另外,制备了基于不同温度退火的ZnO纳米棒阵列紫外探测器,在450℃退火时,器件具有最佳性能。