掺杂ZnO薄膜相关论文
压敏电阻因为其典型的非线性电流-电压（I-V）特性,已经被广泛用于对集成电路及其他电子设备的电路进行保护,防止因静电放电、浪涌及其......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV,物理性能优异。而且,ZnO的原材料来源广泛,价格......
ZnO是一种重要的半导体材料.本文对ZnO薄膜对次晶相及其变化特征进行了研究.利用新型sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上制备了......
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上成功制备出Y3+掺杂的透明ZnO薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外分光光度计分析了掺杂......
采用两种溶胶一凝胶工艺在普通玻璃基片上制备Ag:znO和AI:ZnO薄膜,通过XRD、UV-Vis吸收谱等分析方法,研究掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄......
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备了Ag+、A13+共掺ZnO薄膜,通过XRD、紫外分光光度计和金相显微镜等设备,研究了掺杂Ag和Al对......
ZnO薄膜是一种Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带半导体材料，具有优异的物理化学性能。通过对薄膜的掺杂，可以改善其性能或赋予其新的性能，使其应用更加......
采用两种溶胶-凝胶工艺在普通玻璃基片上制备Ag：ZnO和Al：ZnO薄膜，通过XRD、UV-Vis吸收谱等分析方法，研究掺杂Ag和Al对半导体ZnO薄膜的......
采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜，通过X射线光电子能谱仪（XPS）、X射线衍射仪（XRD）和紫外-可见光（UV-Vis）分光光度计研究了Sb2O3......
氧化锌(ZnO)是一种性能卓越的半导体材料,其禁带宽度在室温下是3.37eV,属于Ⅱ-Ⅳ族宽禁带,作为第三代半导体中的一名新成员,其激子......
用于太阳电池窗口层的材料必须具有好的耐蚀性。利用射频磁控溅射的方法分别在300℃、350℃、400℃、450℃的沉积温度下制备透明导......
