【摘 要】
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本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连续可调的优势,近年来已经成为人们普遍关注的半导体光电功能材料与器件之一.此外,本文还简要介绍了本实验室关于ZnO薄膜的研究进展,以此作为进一步研究MgxZn1-xO薄膜的理论依据,并且也为紫外光探测器的制备打下了良好的基础.
【机 构】
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北京航空航天大学理学院,北京,100083
【出 处】
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2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
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本文旨在介绍宽禁带半导体MgxZn1-xO薄膜的基本性质,制备方法及应用前景.MgxZn1-xO薄膜结合了ZnO和MgO的材料性能,具备禁带宽度连续可调的优势,近年来已经成为人们普遍关注的半导体光电功能材料与器件之一.此外,本文还简要介绍了本实验室关于ZnO薄膜的研究进展,以此作为进一步研究MgxZn1-xO薄膜的理论依据,并且也为紫外光探测器的制备打下了良好的基础.
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