4H-SiC材料相关论文
碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快，在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景，4H-SiC双极晶体管越来越受......
碳化硅是制作日盲紫外光探测器的理想材料。本文讨论了光探测器的物理机理和性能参数，建立了4H-SiC PiN器件的物理模型，模拟了器件暗......
4H-SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。本文对同质外延生长的4H-SiC材料中......
近年来，SiC功率半导体器件因其具有极好的电特性和物理性质而成为半导体界争先研究的热点项目之一。论文对目前SiC的多型体中综合性......
碳化硅(SiC)由于禁带较宽，对可见光和近红外光几乎没有吸收，因此一般只能用来制作紫外光探测器。国内外关于SiC基紫外光探测器的报道......
