半导体材料的快速发展及应用使得人类进入了信息时代,信息量的急剧膨胀和信息的快速处理与传递正在经济、科技、军事等领域引起深刻变革。以Si、Ga As为典型代表的传统半导体(第一、二代半导体)的迅速发展极大推进了光电子、微电子技术的高速发展。随着航天、空间防御、云计算等技术的迅猛发展,对半导体材料的工作环境提出了新的需求如高频、高压、大功率、高温、强辐射等,传统半导体(第一、二代)的电子元器件难以达到应用要求。Ga N,Si C材料以其独特的性能优势,在各种新型的电子器件制造方面体现出巨大的潜力,因此,被称为近代发展前景最好的第三代半导体材料。本项工作是在兰州重离子加速器国家实验室提供的能量为340 Me V的56Fe13+和350 Me V的56Fe21+离子辐照条件下,研究了Ga P与Ga N晶体的微结构损伤并对其进行了表征及分析,结果表明:1、340 Me V56Fe13+辐照Ga P的实验结果表明:随着辐照离子剂量的增加,在Ga P晶体中产生了局部的无序与缺陷。Raman光谱展示出散射峰强度逐渐减弱而且一些逐渐消失,但其峰位几乎没有发生变化。XRD显示出衍射峰强度逐渐变弱。红外光谱(FTIR)显示出峰发生了宽化但其强度有所增大,这表明56Fe13+离子的辐照使得Ga P晶体中的缺陷与无序性增加,导致晶体局部的非晶化。2、350 Me V 56Fe21+辐照Ga N的研究结果表明:随着离子剂量增加,Raman光谱显示二阶拉曼被激发。纯样品的PL光谱中观察到较强的黄色发光,说明未辐照的样品中存在空位型缺陷,并且在PL中观察到发射峰强度逐渐减少,这说明辐照引入的缺陷形成了非辐射中心。