采用Ⅱ-Ⅵ族材料制造光泵辅绿光激光二极管

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制作一流可靠绿光激光二极管的材料结构又多了一个有价值的竞争者。日本索菲亚大学的研究人员制作出采用BeZnSeTe有源区的Ⅱ-Ⅵ族异质结构,在光激发下产生548nm的激射。这是继去年美国加里福尼亚大学圣巴巴拉分校宣布的半极性氮化物激光器结构514nm自发发光后的一项成果。日本 One more valuable competitor to the material architecture for making first-class, reliable green laser diodes. Researchers at the University of Sophia in Japan fabricated Group II-VI heterostructures using the BeZnSeTe active region, producing 548 nm lasing under photoexcitation. This is a result of the spontaneous 514nm excitation of the semi-polar nitride laser structure announced by the University of California at Santa Barbara last year. Japan
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