溅射气压对ZrO薄膜微结构与光学性能的影响

来源 :第五届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:winterdxm7124
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利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl和石英上沉积ZrO<,2>薄膜.膜厚60~80nm.研究发现,溅射气压升高,薄膜结晶程度降低,同时存在单斜相和四方相;晶粒尺寸增大;折射率上升;透射率在700~1000nm波段上升.这些结果表明溅射气压影响ZrO<,2>薄膜生长机制、微观结构和成份,进而影响其光学性能.
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研究了热处理对NiFeGa磁致形状记忆合金组织和马氏体相变的影响.电弧态合金组织中马氏体板条模糊.在氩气保护.800℃保温4h缓慢冷却条件下热处理后,马氏体板条规整平直.DSC结果表明:NiFeGa合金在加热/冷却时发生热弹性马氏体相变.热处理后M=43.24℃,M=36.72℃,A=46.84℃,A=51.83℃.相比电弧态,热处理后合金M和M提高,A和A降低,相变滞后减小.XRD结果证明热致马
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研究液相多元添加对BaTiO微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和VO)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的微波、高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180℃时,BaTiO微波介质陶瓷在1MHz下的介电性能:ε=41.2,tgδ=5,τ=82×10/℃.基本保持了良好的介电性能.
首次报道用DTA,TG,IR,XRD研究了TiO、MoO、PEO四元掺杂的WO电致变色薄膜材料的结构性质变化影响.研究表明掺杂TiO、MoO、PEO的材料改变了WO的晶体结构,通过分析WO的晶体结构得出掺杂的四元钨酸凝胶的最佳热处理温度应为200℃.
利用交流阻抗技术(EIS)测试了GdO掺杂CeO固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式.材料的电导率随成型压力的增大先增大,然后减小.随烧结温度的升高,材料电导率是升高的.
以化学还原法制备了SnSb合金,并对合金的成分、组成及形貌等进行了分析;对合金的嵌脱锂性能研究发现,SnSb合金能与锂形成多种合金,具有良好的嵌脱锂性能,首次循环的库仑效率为74.7﹪,放电容量可达到611mAh·g.研究中还发现热处理能有效地提高电极的循环寿命,增大放电容量,合金电极在氩气保护、300℃温度下处理2h,其40次循环之后比容量仍能保持在440mAh·g.
以Ni作为添加元素,利用放电等离子技术制备了NiCoSb(x=0-0.35)化合物热电材料.通过先进的性能表征手段,深入探讨了NiCoSb化合物的热电性能,为n型热电材料的研究提供了有价值的参考.实验结果表明,一定量Ni的添加,能有效改善材料热电性能,提高热电优值;在Ni添加量x=0.2时,NiCoSb化合物在温度T=773K时具有最大的热电性能优值ZT=0.45.
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利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiBO晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法.