【摘 要】
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二硫化钼（MoS2）是类石墨烯层状材料,由于具有高载流子迁移率、无悬空键、可调控的宽带隙及摩擦系数低等优点,在电子器件领域具有广泛应用前景,但随着电子器件的微小化,MoS2薄膜的比表面积增大,表面效应的影响增强,因此对表面效应的微观适用规律的探索显得格外重要。本文使用化学气相沉积法（CVD）制备生长温度为650℃,沉积时间为20 min、1 h、1.5 h、2 h的MoS2薄膜,并对样品进行结构、
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二硫化钼（MoS2）是类石墨烯层状材料,由于具有高载流子迁移率、无悬空键、可调控的宽带隙及摩擦系数低等优点,在电子器件领域具有广泛应用前景,但随着电子器件的微小化,MoS2薄膜的比表面积增大,表面效应的影响增强,因此对表面效应的微观适用规律的探索显得格外重要。本文使用化学气相沉积法（CVD）制备生长温度为650℃,沉积时间为20 min、1 h、1.5 h、2 h的MoS2薄膜,并对样品进行结构、形貌、性能等分析,主要研究内容如下:（1）对样品进行拉曼光谱、光学显微镜（OM）、原子力显微镜（AFM）、开尔文探针力显微镜（KPFM）、摩擦力显微镜（FFM）等测试,探究沉积时间对MoS2薄膜的影响。研究结果表明不同的沉积时间对MoS2薄膜的形貌、结构、表面电势及表面摩擦均有不同程度的影响。（2）对沉积时间2 h的样品白光照射处理,并对其进行KPFM测试,以探究光照、厚度对MoS2薄膜表面电势的影响。结果发现光照改变MoS2薄膜表面电势对其厚度具有依赖性,且光照引起的MoS2薄膜表面电势的改变具有不可逆性。（3）对沉积时间2 h的样品进行光照处理,并对其进行AFM、FFM、粘附力测试,以探究光照、厚度、粘附力对薄膜表面摩擦的影响。结果表明光照条件会引起MoS2薄膜表面摩擦的变化,且该变化与薄膜厚度有关;粘附力的变化与摩擦力相似,说明摩擦力的变化与粘附力有关,粘附力变化主要来自于光照引起的表面电势改变,从而导致的静电力变化;虽然光照引起的MoS2薄膜表面摩擦的改变具有可逆性,但是引起的粘附力改变却不完全可逆。
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