【摘 要】
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讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得
【机 构】
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华中理工大学物理系,华中理工大学物理系,华中理工大学物理系,华中理工大学物理系
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讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性.
The dependence of the electrical properties of SnO_2: Sb-doped transparent conductive films deposited by tube plasma chemical vapor deposition on the deposition temperature, oxygen uptake and deposition time is discussed. When the oxygen input is 3L / min, the deposition temperature is 500 ℃, Time 30min under the conditions of the resistance of 17Ω / □ SnO_2: Sb film and observed by electron microscopy at 500 ℃, the resulting film has fine and dense grain density, high density also measured the film Temperature resistance characteristics, the results show that the film has a negative temperature resistance characteristics.
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