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我们采用脉冲激光(PLD)法，通过控制沉积时间制备了一组不同厚度的Sb2Te3薄膜.XRD谱表明了Sb2Te3薄膜沿着(001)面的方向外延生长.
Sb2Te3薄膜介电特性的研究
【摘 要】
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我们采用脉冲激光(PLD)法，通过控制沉积时间制备了一组不同厚度的Sb2Te3薄膜.XRD谱表明了Sb2Te3薄膜沿着(001)面的方向外延生长.
【机 构】
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物理与微电子学院,湖南大学,湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门,410082
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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