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对干氧栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量的MOS电容电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注入剂量范围是5×10^14 ̄2×10^16F/cm^2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO2界面和SiO2中的行为将直接影响MOS器件的辐照性能。而F的行为依赖于F的注入工艺条件。用