一种制备SiO2膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lurnay
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作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层,成功地制备了SiO2膜.由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数,随氧等离子体处理时间的不同在1065~1088cm-1范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3~103.5eV,硅氧原子比为1:1.99;激光椭园偏振仪测得折射率在1.30~1.55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6.6×1010~8.8×1011cm-2,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3~6)×1010cm-2,这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用.
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