正向特性相关论文
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系......
ＧＴＯ门控电路对ＧＴＯ的关断能力、工作频率、可靠性等影响极大，本文分析了ＧＴＯ关断过程的机理及其波形，提出了主要的门控电路参数，并对国内外若干重......
本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ（ＥｍｉｔｔｅｒＳｗｉｔｃｈｅｄＴｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域。从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其......
本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但......
可控硅在家用电器以及自动控制系统中应用较广,但由于一般维修人员缺乏必要的检测设备,往往只靠万用表测量其阻值判别其好坏,很难......
阐述二极管的结构特点,以及在电路中的作用。
Describe the structural characteristics of the diode, as well as the role in ......
1.二极管的外形自然界中的物质,如金属中的金、银、铜、铁、铝及非金属中的石墨、碳等,它们对电流的阻力很小,具有良好的导电本领,......
Z-元件具有进一步的开发潜力,扩充其特性和应用可形成一些新型电子器件。重点介绍光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、力敏Z-元件,V/F......
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规......
本文主要介绍了新型600V量级器件工作的高效率GaN产品应用。
This article describes the application of high efficiency GaN p......
对传统的电容-电压（C-V）、电流-电压（I-V）测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管（LED）正向特性的结果做了详细的对比分......
单个晶闸管所能承受的电压或电流不能满足实际应用时,就必须把几个元器件串联或并联应用。串联应用时,元器件所承受的正、反向电......
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极。双向可控硅有第一阳极A1(T1),......
在宽禁带(wide band-gap)半导体的Si C器件中,为实现1.3k V以上的高耐压,双极性器件被认为是有利的。富士电机公司对模拟的预测与......
压敏电阻在相序测量指示中的应用……………(1—3)高精度SAW温度测量系统的设计……………一(1—7)高、低压交直流电动机的能耗测......
本文建立了多路阀随动控制机构的动态数学模型,给出了设计准则,并以实例说明了该模型及准则的应用。
In this paper, a dynamic m......
本文阐述了用于GaAs单片集成的Ti—Au系肖特基势垒的有关特性。指出了实现既要有1微米栅长的几何图形,又要有良好电学特性的肖特基......
为了保证低压晶体管收音机的降压特性,一般在整机电路中都采用稳压电路,尤其是在使用硅管的低压晶体管收音机中无一例外地都采用......
晶体管的某种特性曲线比晶体管的有关参数更能全面地表达其电性能。事实上,参数只是曲线上的一点,当测试条件改变时,参数就要改变......
我们在 4.2—300 K的温区对 Ge.Si.GaAs的p-n结正向压降与温度的关系进行了实验研究,发现了两个有普遍性的规律:(1)随着温度的降低......
2. 晶体二极管的分类 晶体二极管可以按材料、结构以及电路应用不同进行分类。每一种分类方法都侧重了二极管的不同特性。因此表......
本文首先研究了CO~(60)γ辐照对国产面结型硅二极管正向伏安特性的影响,发现在小电流区域正向特性变好;大电流区域变坏,进一步分析......
自从晶体管问世之后,人们就注意到p-n结的温度特性,随着温度的升高,p-n结反向电流加大,正向压降减小,它是引起晶体管电路温度漂移......
本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大,引......
本文报道了在气体离子源中Be~+束流的引出,比较了Be~+注入GaAs的常规炉子热退火与红外快速退火行为,给出了Be~+注入GaAs和InGaAs形......
本文介绍了NiSi-Si中势垒的获得与特性.提出了NiSi-Si势垒肖特基二极管的基础制造工艺.解决了NiSi-Si势垒实用化中的两个具体问题......
制做硅整流管通常都是采用在硅片上经两次高温扩散分别渗入磷、硼杂质源,形成pn结和nn~+结。这种方法的缺陷是:高温扩散后的硅片......
采用ａ－Ｓｉ：Ｏ：Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏......
ＤＯ－３５型玻封二极管引进简介Ａ公司１９９１年９月引进生产设备，１０月份安装调试，１１月份试产及批量生产。现今仅使用一台隧道炉（台湾制造）生产玻封ＤＯ－３５型二极管，三班......
整流柜在长期使用以后,晶闸管的正向特性变化引起不均流,一般的解决办法就是更换管子。 我厂自1986年开始使用三相全控桥整流电解......
本文所介绍的是一种无源单管调频发射机,它可将放大器和卡拉OK输出的声音发送到其他调频设备上。该电路工作原理新颖,且简单易作......
TCL-9625/9629BZ和TCL-2968/2969/2976/3409/3438及最新的TCL-M2000等10多种机型的主信号流程基本相同,其机芯均采用由LA7577和TA......
本文对SiC半导体材料特性作了比较和讨论,说明了SiC在微波大功率应用方面的优势.通过对SiPiN二极管经典理论的修正和补充提出了能......
研制用于射线剂量X测试的半导体射敏器件,并说明此器件的工作机理、器件设计、器件制备工艺以及其特性参量的定义和测试结果。 该......
本文重点介绍光敏Z-元件、磁敏Z-元件的特性、典型应用电路、设计方法和应用示例,供广大用户利用光、磁敏Z-元件进行应用开放时参......
该文简述了SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性与发展现状,利用器件模拟软件MEDICI对4H-SiC高压肖特基垫垒二极管的正向特性和阻断......
<正> 文献[1]中对密勒定理有如下的叙述:“设有一个任意的包含N个独立节点的网络,如图1、8、17（a）所示。若节点电压用V1、V2……VN表......
晶体二极管的主要内部结构为PN结,故晶体二极管具有单向导电性能,且其单向导电性能随PN结掺杂浓度和晶体二极管所处的环境温度的改......
本文在计算机二维数值分析的基础上，模拟了ＥＳＴ（ｅｍｉｔｔｅｒ＆ｓｗｉｔｃｈｅｄｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）正向工作时的载流子浓度，电流的变化过程，从而深入了解了ＥＳＴ正向工作特性，最后指出了ＥＳＴ正向工作时......
<正> 1.晶体管类型和特性概述本文的主要目的是介绍半导体晶体管的基本应用电路。晶体管至目前为止已证明适用于一般低功率的通信......
提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各......
