单晶薄膜相关论文
本文主要讨论衬底的晶向偏离与外延层表面波纹的关系,实验证实了临界偏离角度,要获取良好的液相外延表面,外延所用的碲锌镉衬底B面......
石墨烯因其独特的优异性质具有广泛应用前景。构建石墨烯-硅的异质结构,可以实现 石墨烯与现有硅基微电子技术无缝链接。我们在单......
ZnO基半导体材料因优异的光电性能在高效率短波长光电器件领域具有广阔的应用前景.目前的器件大多外延在Al2O3或Si等异质衬底上.Al......
基于氧化物薄膜的阻变行为(resistive switching behaviour)以及机理的研究引起了广泛的关注,已有的研究结果表明氧空位在阻变行为......
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过......
X射线探测在医疗、工业无损检测、国土安全等领域具有重要意义.制备高灵敏度的X射线探测器可以降低X射线剂量,在医疗和安检中至关......
有机-无机杂化钙钛矿单晶薄膜表现出许多优异的光电特性,因而被广泛应用于光学和光电子器件。同时,作为一类宽禁带半导体材料,有机......
该论文通过传统的固相反应制备了具有钙钛矿结构的稀土掺杂锰氧化物LaSrMnO(LSMO)块材,并通过磁控溅射方法在LaAlO衬底上生长了50n......
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrysta......
对用热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC衬底上外延生长的SiCGe单晶薄膜进行了变温光致发光(PL)测试,测试温度从13K到300K。发现PL......
近十年来,铅卤杂化钙钛矿太阳能电池的能量转换效率快速提高,引起了人们研究铅卤杂化钙钛矿材料的热潮。铅卤杂化钙钛矿材料具有优......
TiO2作为一种宽带隙(金红石型TiO2带隙为3.05eV)金属氧化物的代表,在紫外光波段(λ...
电子有两个属性:电荷和自旋。在之前的几十年,基于电子电荷属性的传统微电子学蓬勃发展,但其存在着功耗高,集成度低的问题。为了解......
学位
光(电)催化分解水产氢是发展清洁能源极具潜力的方式之一。二氧化钛作为研究最广泛的光电催化水分解的材料之一备受关注,在光电催......
学位
为用现代表面科学技术研究金属氧化物催化剂，在Pt（111）上于超高真空系统中原位蒸镀制备了NbO、NbO2、NbO2、单晶薄膜（＞2nm）．通过AES、ISS......
由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段，使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值，有可能......
我们系统地研究了Co搀杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.本文利用分子束外延(MBE)的技术,在蓝宝石(0001)衬底上......
金属有机物化学气相淀积(Metal organic Chemical Yapor Deposition)简称MOCYD,1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人提出制备化......
本文利用激光分子束外延系统,在STO∶Nb衬底制备了高质量的BaTiO3单晶薄膜,并在北京同步辐射站4B9B对其进行了原位的光电子能谱的......
本文使用分子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶......
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮......
应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-AlO/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-AlO/Si外延生长,单晶衍射......
该文介绍了PbO-bIO-BO熔剂中，在钆镓石榴石(3G)基片上，利用液相外延(LPE)等温浸渍技术，制备出了适用于静磁波器件的Gd-Bi-Ga:YIG单晶......
他们通过采用自行改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控技术，首次成功制备出ＺｎＯ类单晶薄膜。改变溅射条件，则可以获得不同Ｏ／Ｚｎ比的ＺｎＯ〈，１－ｘ〉薄膜。......
该文研究了MOCVD法ZnSe∶N单晶薄膜的生长掺杂条件，及其发射光谱，电学参数等光电特性随生长掺杂条件的变化。证实氮在ZnSe中形成激活......
YBaCuO(YBCO)高温超导薄膜溅射生长所遇到的主要问题是负氧 离子的反溅射效应，该文实验了afterglow plasma溅射减弱负氧离子反溅射......
采用ＨＦＣＶＤ技术，通过两步ＣＶＤ生长法，以ＣＨ〈，４〉＋ＳｉＨ〈，４〉＋Ｈ〈，２〉混合气体为生长源气，在Ｓｉ衬底上生长３Ｃ－ＳｉＣ晶体薄膜。用ＸＰＳ测试手段对薄膜样品进行了组分分析并通对热丝......
该文研究了任意磁化方向双重各向异性YIG薄膜铁磁共振中静磁模的激发和模谱结构以及铁磁共振线宽的非线性增宽现象。对静磁模的“......
该文研究了Ｎ〈’＋＋〉／Ｎ〈’＋〉／Ｎ同型梯度掺杂ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ／Ｇｅ异质单晶薄膜复合材料的结构；分析了把它用于肖特基光伏太阳电池时的工作机理及优点。在进一步......
本文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高,ZnSe外延膜的电阻率增大,同时PL光谱中与自由激子发射有......
氧化亚铜是一种禁带宽度约为2.1eV的直接带隙半导体材料,在透明导电溥膜、随机存储器、自旋电子器件、光伏产业以及光催化等领域有......
本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。主要包括锗硅单层和......
本文采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术,对较低的温度(550～660℃)下生长硅和锗硅外延工艺及其应用进行研究。主要包括锗硅单层......
用溶胶-凝胶法制备了La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3多晶块体样品,并对其结构、磁性、电和热的输运性质及红外透射光谱进行了系统的研究......
半金属铁磁体兼具特殊的能带结构和极高的自旋极化率,在自旋电子学领域中受到广泛关注。作为新兴的自旋电子学材料,它有着广阔的应......
