阻变相关论文
铁酸铋（BiFeO3,BFO）材料具有较高的铁电居里温度与反铁磁奈尔温度,同时其理论剩余极化值高、光学带隙低,在磁电存储器、铁电存储器、......
随着手机、笔记本电脑等便携式电器的普及,以及近几年来互联网技术和新型智能化电子产品的快速发展,非挥发性存储器在整个半导体行......
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料，拥有超大的带隙(～4.9 eV)、较大的击穿场强(～8 MV/cm)及较高的巴利加优值，在日盲光电探测、场效应......
基于氧化物薄膜的阻变行为(resistive switching behaviour)以及机理的研究引起了广泛的关注,已有的研究结果表明氧空位在阻变行为......
信息存储技术在21世纪越来越被人们关注,因为传统的存储技术已经逐渐的出现了技术瓶颈,人们希望通过研究新材料和开发新技术用来制......
半导体存储器是电子设备最基本的元器件之一,是现代信息技术的重要组成部分,随着互联网的迅速发展,人们对于数据的需求急剧增加,因......
在当下信息化时代中,存储器扮演着不可或缺的角色。铁电非易失性存储器与其它几种存储器相比,在开关速度、电阻比、保持性和循环性......
当前人工神经网络的模拟计算过程有必要在微观动力学层面找到神经元或突触的模拟单元,利用忆阻器来模拟人脑突触的可塑性行为近年......
如今,“大数据”,“云计算”,“人工智能”等关键词几乎已经成为当今科学技术发展的代名词。信息化、智能化已成为未来大势所趋。......
随着信息技术的快速发展,铁电存储器作为一种新型的非易失性存储器,具有功耗低、耐久性好、易于调控等优点,受到了广泛关注,但是铁......
强关联电子体系材料因其丰富而有趣的物理性质在过去的数十年里被广泛关注。通过晶格、电荷、轨道和自旋自由度之间的重组可以实现......
用水热法制备了ZrO_2纳米粒子,结构通过XRD表征,利用GaIn上电极对旋涂于ITO基底上薄膜进行伏安特性测试。结果表明,ZrO_2纳米粒子......
本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1D1R型阻变存储器的研究进展。二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特......
忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二......
通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO_2薄膜的迁移......
【摘要】非易失性静态随机存取存储器既具有静态随机存取存储器的快速读取和写入特性，也具有非易失性存储器在断电时仍然保持数据的......
采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La0.7Mg0.3MnO3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La0.7Mg0.3MnO3/p+-Si器件的电致阻变性能进......
有机半导体／铁电复合薄膜展现其电双稳和整流特性，有望应用于阻变存储中．复合薄膜通常经由溶液沉积成膜，在薄膜沉积过程中，发生相分离：半......
本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体......
随着摩尔定律的增速逐渐减缓,目前使用器件正在逼近其物理极限,人们对于新型存储计算材料以及架构的需求越来越紧迫。忆阻器(Memri......
以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性。等离子处理范围减小和处理时间延长......
CdZnTe(简称为CZT)薄膜是近年发展起来的一种性能优异的新型半导体材料,可用于探测器、太阳能电池、阻变存储器等方面。然而,CdZnT......
阻变存储器具有功耗低、微缩性好、可大规模三维堆积、与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等诸多优势,可以满足高性能信息存储......
调节低能Ar+刻蚀对单晶LiNbO3(LN)的刻蚀时间,制备了不同LN厚度的单晶薄膜忆阻器。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和......
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阻变存储器具有存储密度大、擦写速度快、可多值存储、结构简单等优点,被认为是替代闪存实现商业化的新一代存储器。氧化物阻变器......
采用脉冲激光沉积法在n-Ga N衬底上制备了铁电Hf0.5Zr0.5O2薄膜,通过测量样品的P-E曲线与I-V特性曲线研究该异质结构的铁电特性及......
在氧化铟锡衬底上利用溶胶凝胶法,分别在500℃和600℃退火条件下,制备了锰掺杂的铁酸铋薄膜。两种退火温度下制备出来的薄膜均具有......
利用脉冲激光沉积法在0.7%Nb∶SrTiO3衬底上制备了Co∶ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ZnO/Nb∶SrTiO3异质结器件。该器件表现出典型的双......
忆阻器在新型非易失性存储以及神经形态计算中的巨大应用潜力使之成为在存储以及信息处理上最具潜质的电子器件。相关的研究主要集......
随着集成电路的快速发展,传统的Flash存储器面临着物理极限,因此急需寻找下一代非易失性存储器。其中阻变存储器因其结构简单、读......
阻变存储器(RRAM)是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器(NVM),RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低等......
非晶碳和半导体材料具有独特的性能，其电阻可以由电场和/或磁场等多种场来控制。非晶碳展示了丰富的电学和磁学输运现象，并具有广泛......
随着人类社会高速发展,爆炸式增长的海量信息需要超大容量的存储设备和高效的信息处理系统。传统硅基半导体芯片产业遵循着“摩尔......
随着英特尔将半导体工艺器件尺寸推进到22nm的商用阶段，Flash存储器已接近其物理尺寸的极限，其面临着无法克服的发展瓶颈。而在各种......
学位
忆阻器因其独特的电学特性,在阻变存储、人工神经网络和电路中有着良好的应用前景。交叉阵列在二维集成中被广泛采用,三维集成可分......
在电场和光辐照条件下金属氧化物会产生阻变和光电导效应,这是凝聚态物理研究的前沿课题并在信息存储领域具有潜在的应用价值。本......
