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本文利用超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)技术，在低温生长环境(500-660℃)对薄硅外延及锗硅外延工艺进行了摸索。主要包括锗硅单层和多层结构外延过程生长特性及表征，以及生长机理的研究。 使用实验室自行研制的UHV／CVD—Ⅱ外延设备，在低温下(500-650℃)外延生长了大面积均匀的薄硅单晶外延片，系统研究了UHV／CVD系统硅外延的生长速率曲线；并对外延片在高频领域的应用进行了初步探索。 成功的在500-660℃范围内生长出高质量、宽范围