半导体量子阱相关论文
半导体量子阱作为一种新型半导体纳米材料,在组建高集成电路、构造全光网络和实现高效光互连等方面具有重大意义。半导体量子阱结......
过去的几十年里,非线性介质中基于量子相干和干涉的量子光学现象由于其在众多学科和领域有潜在的应用价值已经引起人们的广泛关注......
在一个具有三能级V 型能级结构的耦合半导体双量子阱中，研究了相干调控下光学双稳态以及双稳态与多稳态的转化行为。研究结果表明，在......
We investigate intersubband Rabi flopping in modulation-doped semiconductor quantum wells with and without the propagati......
本文在三能级级联结构的非对称半导体量子阱中研究了荧光的高阶量子关联效应.利用三个激光场同时驱动三个偶极允许的跃迁时,研究结......
由电子1业部主办的1996年“电子十大科技成果”评选活动于5月12日揭晓，由863i计划光电子主题支持的“半导体量子讲激光器系列”榜上......
光纤通信技术的关键是激光器,激光器的先进与否,就像人体心脏博击是否有力一样,对光纤通信起着至关重要的作用。1.3μm半导体量子......
从全量子理论出发，比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混合形......
研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加，对实验......
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空......
我们开发了一个半导体量子阱激光器的数值模拟器ＰＯＥＴ．本文介绍了该模拟器的基本模型、工作流程和一些主要特性，并演示了对掩埋异质结构渐......
在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双......
在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光......
中国科学院上海技术物理研究所承担的“非均匀磁场半导体纳米结构输运的理论研究”课题最近通过了成果鉴定,该课题组科研人员研究......
通过密度矩阵及坐标变换等方法，导出质量可变的无限深矩阵阶中电光效应的解析表达式，通过对ＧａＡｓ／ＡｌＡＳ量子阱的数值计算，指出电光效应的大小取决......
在多维球坐标体系中 ,我们对施主为束缚离子激子用二维方法求解薛定谔方程。研究表明 ,该方法对于半定量分析简便易行 ,并获得了一......
研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚......
应用转移矩阵方法求解三种不同量子阱体系中基于单带有效质量模型和包络函数近似下的一维定态薛定谔方程.首先,通过比较Ⅰ型单量子......
采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了半导体量子阱中强耦合磁极化子的性质。推导出了无限深量子阱中强耦合磁极化子的振动频率......
研究了一束低强度探测脉冲光场在一个非对称半导体量子阱中的传输特性.在相同参数条件下,通过由自发辐射相干产生的交叉耦合系数来......
利用准玻色子方法发展的激子动力学方程是研究半导体纳米结构中激子超快动力学的有效理论手段.为了将这种方法应用于半导体量子阱,......
在考虑半导体量子阱中导带电子对外加激光场非局域光学响应的情况下,利用格林函数方法推导出了光透射率的解析表达式,并以典型的Ga......
采用改进的线性组合算符和幺正变换相结合的方法,本文导出了三角量子阱中弱耦合束缚极化子的有效质量,讨论了束缚极化子的有效质量......
由于量子阱中的浅施主杂质的研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性质的研究都提供了有用的信息 ,因而近来对极性半导体量子阱中的......
近年来,随着晶体生长技术的发展,人们成功制备出了半导体量子阱材料。作为一种新的量子相干介质,很多有趣的量子相干和量子干涉效......
一.电子元器件及生产设备 808nm无铝半导体量子阱高功率激光器及其列阵 该成果采用真空镀膜工艺和合金技术形成激光器两面的电极,......
半导体量子阱超晶格结构的载流子除了具有平行于阱层界面的纵向运动(纵向输运)外,还具有垂直于界面方向的横向运动(横向输运)。横......
一、何为量子阱把厚度L_Z~*与电子的量子力学的波长(～100(?))相当的GaAs超薄膜嵌入Al_xGa_(1-x)As膜的结构,会产生两者电子亲合力......
在18～300K 度范围内测量了 GaAs/AlGaAs 超晶格和 Ge_xSi_(1-x)/Si 应变层超晶格在不同温度下的光伏谱。在200K 以下,在 GaAs/AlGaA......
本文采用改进的Ｗｉｇｎｅｒ－Ｂｒｉｌｌｏｕｉｎ微扰理论，研究了束缚于半导体量子阱中电子共振谱的分裂．考虑到晶格振动的各种光学极化模，解释了电子共振谱在横光学声......
7月6日下午,一代宗师物理学家黄昆不幸去世了。他死于肺部感染,享年86岁。黄昆评价自己的研究有两个高峰,其中作出最主要学术贡献......
从全量子理论出发，进一步系统深入地分析了在ＩＩ－类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混......
半导体激光器现已成为随处可见的一种激光器.光抽运和电激励半导体激光器被广泛用于从通讯、信息存储和处理到医学诊断和治疗等各......
原子系统中的量子相干和量子干涉得到广泛的研究。最近，随着晶体生长技术的发展，人们能够成功制备出半导体量子阱结构。作为新的量子......
在耦合量子阱中，我们研究自发辐射光谱的性能，它们呈现了一些有趣的物理现象。这些物理现象归咎于量子干涉中的通道之间的竞争。半导......
该文依据了在原子光吸收过程中产生Fano干涉效应的物理内涵,通过运用组份半导体量子阱和超晶格的"人工裁剪能带"的功能,设计合适的......
该文对闪锌矿结构半导体量子阱中的子带光跃迁现象进行了理论和实验研究.传统的观点认为量子阱中导带子带跃迁只存在TM模式光激发,......
该文利用自行设计生长的半导体量子阱、量子点微腔进行了压力调制和角分辨PL光谱实验,研究了微腔中的激子与腔模的强耦合作用和微......
该论文工作由半导体量子阱超晶格子能级求解和硅基文献数据库管理系统两部分组成:第一部分:在Kronig-Penney模型的基础上,运用Bloc......
非线性光学是激光出现后发展起来的一门介于基础与应用之间的崭新的学科。经过四十多年的理论与实验研究，非线性光学得到了飞速的发......
