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专利申请号:CN201811013179公开号:CN109136926A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:深圳市华星光电技术有限公司一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置,刻蚀方法包括:步骤S10,在基板上形成铜钼膜层;步骤S20,在铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶;步骤S30,将形成有光刻胶的基板置于刻蚀装置中;步骤S40,对刻蚀装置内部进行紫外线照射,以及向刻蚀装置内充注臭氧;步骤S50,利用刻蚀液对铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能,另外,也能够减少刻蚀液的用量