【摘 要】
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利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过荧光光谱, 观察到来自于激子的高强度的近带
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023吉林大学超硬国家重点实验室,长春,130023;香港城市大学电子工程系, 香港;
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利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过荧光光谱, 观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375 nm). 紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达193, 显示出材料的高质量, 并通过原子力显微镜加以验证. 为了实现高阻ZnO薄膜, 利用高温富氧分段退火和用N2气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜. 结果表明, 电阻率由0.65 Ωcm分别升高到1 100 Ωcm(分段退火)和5×104 Ωcm(掺氮). 进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好, 显示出更高的薄膜质量.
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