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用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。
自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究
【摘 要】
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用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,
【机 构】
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湖北大学材料科学与工程学院,日本神户大学工学部电子电气工程系,日本神户大学工学部机械工程系,日本大阪大学超高压电子显微镜研究中心,武汉,430072
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2007年2期
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